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以中孔沸石限制硫化銀奈米粒子及氧化石墨烯之合成、鑑定與應用
(2017) 戴子鈞; Dai, Zih-Jyun
本研究以矽晶圓表面之中孔洞沸石薄膜，做為生長奈米結構的重要基材，並利用中孔洞來限制銀奈米粒子大小，及其整齊排列孔洞做為氧化石墨烯均勻沉積的生長環境，以達到製備複合材料與相關應用。第一部份首先討論中孔洞沸石「表面矽烷化改質」對吸附不同電性銀源的影響。將吸附完銀源的中孔洞沸石粒子（MZN）進行銀化合物的奈米粒子生長，並經由電子顯微鏡、氮氣吸脫附和X光繞射光譜，對孔洞結構及奈米粒子大小進行分析鑑定。找出最佳化條件、並於中孔洞沸石薄膜（MZTF）上負載高密度的奈米粒子陣列，接續以Solution-Solid-Solid（SSS）法催化生長半導體奈米線。第二部份為使用中孔洞沸石薄膜，以化學氣相沉積法於其表面生長氧化石墨烯（GO），經由拉曼光譜、電子顯微鏡、氮氣吸脫附和X光繞射光譜進行結構鑑定，証實中孔洞沸石薄膜的導電度提升兩個級數，並功證實有石墨稀增強拉曼散射（GERS）的特性。