光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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次世代電子元件: 鐵電矽鍺元件、氮化鎵、二維材料
(2018) 王政穎; Wang, Cheng-Ying
近年來隨著物聯網(IoT)及穿戴式行動裝置的普及，電晶體發展朝向小尺寸、高效能及低功率。我們成功發展出可應用於未來世代的電子元件，如鐵電閘極矽鍺電晶體及其鐵電特性研究、氮化鎵、二維材料。本研究將分為二硫化鎢(WS2)、氮化鎵、鐵電閘極矽鍺電晶體及其鐵電特性研究，第一部份為探討成長WS2製程方式，如製程溫度、時間、壓力、含氫量等。第二部分為利用AlGaN/GaN HEMT電晶體設計及特性表現元件，為閘極場平板元件，以及鐵電閘極矽鍺電晶體。第三部分為利用HfZrO2於鐵電材料分析及應用。以上元件，目標為降低操作電壓VDD，以降低元件的耗能，達到低功率目的。