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    掌性分子插層二維材料對發光二極體之影響
    (2025) 劉律緯; Liu, Lu-Wei
    為了製備掌性發光二極體元件,本研究討論將掌性分子插層至多種二維材料(MoS2、MoSe2、WS2、WSe2)中,以形成二維材料-掌性分子複合材料。論文大致分為三個部分。第一部份是二維材料的剝離,首先透過超音波液相剝離技術破壞塊材中層與層之間的凡德瓦力,使二維材料分散在溶液中。剝離後的溶液的顏色改變,並且透過其吸收光譜、XRD等數據可確認獲得單層或少層二維材料。第二部份分別添加兩種掌性分子(Methylbenzylamine,MBA)和(Naphthalenemethylamine,NEA)的R型和S型的鏡像異構物(R/S-MBA, R/S-NEA)進二維材料分散液,經退火形成掌性分子與二維材料交替堆疊的異質結構,利用AFM、XRD、元二色光譜儀等儀器證實該異質結構的形成。第三部份是製備WSe2_R/S-MBA與WSe2_R/S-NEA元件,探討添加不同比例的掌性分子或退火時間對元件產生的影響,進而找出更好的元件製備參數。最後可發現,以WSe2_R-MBA作為電動傳輸層的元件隨著退火時間的增加,元件的量子效率有上升的趨勢,在退火10分鐘後,其平均量子效率從原本的2.65%提升至2.82%,同時該元件具有圓偏振電致發光訊號,可為發展具有掌性自旋選擇性功能的光電元件提供更多研究方向。

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