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    探討Kryptolebias marmoratus個體的攻擊性與勇敢程度、探索傾向以及學習能力之間的相關性:前次打鬥經驗的影響以及荷爾蒙機制
    (2011) 張靖; Ching Chang
    具有攻擊性的個體通常較為勇敢,並傾向主動探索陌生的環境,同時有比較好的學習表現。這種不同個體間呈現出相似之行為間的相關性被稱之為行為群(behavioral syndrome)。前人提出,這些行為之間的相關性可能來自於這些行為受到相似的生理機制的影響;例如,一種荷爾蒙同時調控兩種以上的行為,而使得這些行為呈現彼此相關的現象。本篇測量Kryptolebias marmortus的攻擊性與勇敢程度、探索傾向以及學習表現之間的相關性。同時藉由強制給予一次落敗/獲勝經驗改變個體的攻擊性,來探討這些行為與攻擊性之間的相關性是否會受到前次打鬥經驗所影響而改變。本篇研究藉由測量個體的各個行為和睪固酮以及皮質醇濃度之間的相關性,來探討這些行為的相關性是否可能源自於它們皆受到此二荷爾蒙的調控而引起。實驗結果發現,個體的攻擊性與勇敢程度成正相關,而攻擊性和探索傾向以及學習表現之間則沒有顯著的相關性。實驗同時發現,個體的攻擊性與勇敢程度之間的相關性並不會受到前次打鬥經驗所影響。除此之外,個體的攻擊性以及勇敢程度皆與睪固酮基礎值成正相關。這些結果顯示攻擊性-勇敢程度行為群穩定存在於K. marmortus個體中,而此二行為的相關性可能源自於它們皆受到睪固酮基礎值所調控。
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    鐵電氧化鉿鋯於環繞式閘極電晶體(GAA)及用於疊接氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)
    (2020) 張靖; Chang, Ching
    近年來隨著智慧型手機、物聯網(IoT)的發展,元件都必須具有體積小、高效能等特點,目前可以透過鰭式電晶體、環繞式閘極電晶體等多閘極電晶體,使閘極能夠有效控制元件,降低漏電流,解決元件尺寸持續微縮,所造成的短通道效應,以延續摩爾定律(Moore’s Law);5G通訊、電動車發展之下,功率元件需求大增,由於氮化鎵材料耐高溫高壓,並且具有的極高電子遷移率和寬能隙等特性相當符合功率元件使用。 本論文分為三個部分,第一部分實驗,在矽基板上堆疊二氧化矽和多晶矽用來取代 SOI 晶圓以降低成本,並以鐵電材料Hf1-xZrxO2 (HZO) 作為介電層,其中介電層分為兩種,一種為單層Hf0.5Zr0.5O2 ,另一種以2層Hf0.5Zr0.5O2 夾著Al2O3 ,應用於環繞式閘極電晶體,進行 Endurance和Retention量測。第二部分探討GaN 高電子遷移率電晶體(HEMT)的元件特性。最後一部分將鐵電電晶體與氮化鎵HEMT疊接,利用鐵電材料之負電容效應,改善次臨界擺幅(SS),並且提升臨界電壓,使氮化鎵HEMT變為增強型(E-mode),讓此疊接電路同時具備氮化鎵HEMT和鐵電電晶體之特性。

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