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    38 GHz可變增益放大器與單邊帶調變混頻器設計
    (2019) 林禎芳; Lin, Chen-Fang
    隨著毫米波頻段的發展,在相位陣列(Phase Array)架構的射頻收發器中,可變增益放大器及混頻器為重要的元件。由於互補式金氧半導體製程(CMOS)的進步,近年來已經可以將大部分的射頻電路整合在一起,且CMOS具有低功率消耗、低成本及高整合度的優勢,因此本論文將使用TSMC 65nm CMOS製程,設計實現38 GHz可變增益放大器與單邊帶調變混頻器。 第一個電路為38 GHz低相位變化之可變增益放大器,採用兩級的電流控制架構(Current Steering),透過數位控制與相位補償技術,來維持在可變增益範圍內的低相位變化,及降低系統控制複雜度。當供應電壓Vdd為2 V,Vg1、Vg2分別為0.6 V、1.6 V時,在38 GHz有最高增益17.67 dB,可變增益範圍則是在2.61 dB ~ 17.67 dB,約有15.06 dB,相位差為2.69°,1-dB增益壓縮點之輸出功率OP1dB約為-0.68 dBm,整體功率消耗約為56.77 mW,整體晶片佈局面積為460 μm × 680 μm。 第二個電路為38 GHz單邊帶調變混頻器,藉由給予兩顆混頻器正交訊號,將兩個相差180°的輸出訊號合成後,會達到鏡像抑制之功能。由於我們使用來產生正交訊號的多相位濾波器(Poly Phase Filter),對於製程變異相當敏感,因此最後實現的單邊帶調變混頻器有頻飄的狀況。當電晶體偏壓為0.4 V,LO驅動功率為3 dBm時,頻帶為31 ~ 40 GHz,增益範圍為-16.3 ± 0.5 dB,鏡像抑制則有35 dB,整體晶片佈局面積為710 μm × 770 μm。

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