Browsing by Author "楊証皓"

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    TMAH溶液中界面活性劑對異方性單晶矽蝕刻特性之探討
    (2003-11-15) 楊啟榮; 陳柏穎; 楊証皓; 邱源成; 李榮宗
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    單晶矽非等向性濕式蝕刻之壓力輔助機制特性研究
    (2005-11-25) 楊啟榮; 程金保; 楊証皓; 施建富; 張峻銘
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    單晶矽非等向性濕式蝕刻之壓力輔助機制特性研究
    (2005-11-25) 楊啟榮; 程金保; 楊証皓; 施建富; 張峻銘
    本研究之新型微機械式可變電容，具有製程簡單、生產成本低、良率高等特點，除了可取代電子式變容器外，其整套製程也能與標準積體電路製程相容，因此有能力達成將微機械式可變電容與其他電子電路整合，實現系統單晶片(system on a chip, SOC)的目標。本研究主要分為元件製程與訊號量測兩大部分：1.在元件製程上，成功地運用光阻犧牲層技術與犧牲層保護膜，製作出SU-8光阻之懸浮微結構。整個微機械式可變電容元件包括：下電極、光阻犧牲層、SU-8可動結構層與上電極，最後再將犧牲層移除，以完成元件製作。2.在訊號量測上，由電容電壓關係曲線得知，當頻率固定在2000 Hz時，此電容值變化是在外加偏壓為40伏特與無外加偏壓下的電容差值，則此元件具有0.3 pF的電容變化量。由史密斯圖得知，頻率從45 MHz至1.079 GHz的範圍內，此可變電容是電容性元件，其具有理想的品質因子，且等效電路為良好的開路。當頻率固定在1.079 GHz時，其輸入反射係數表示為S(1,1)=0.540/-176.102。
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    高壓暨高溫環境下之單晶矽非等向性濕式蝕刻特性研究
    (2005) 楊証皓; Cheng-Hao Yang
    非等向性濕式矽蝕刻製程是體型矽微加工關鍵技術之一，而其技術發展重點在於如何提升蝕刻面的蝕刻速率與表面粗糙度。由於傳統的磁石攪拌方式有無法均勻地改善蝕刻速率與蝕刻粗糙度的缺點，而超音波震盪的方式雖可改善蝕刻表面粗糙度，但蝕刻速率改善的幅度卻不大，亦不適用於製作薄膜微結構。因此為改善以上機械攪拌式的缺點，本研究擬利用高壓高溫的方式，來進行快速非等向性濕式矽蝕刻，利用壓力輔助機制，可將蝕刻面的表面張力降低，並增加蝕刻液的氣體溶解度。最後，使氫氣泡附著現象得到有效解決，並增加蝕刻液的質傳效果，可降低蝕刻表面的粗糙度並大幅度地提升蝕刻速率。 在應用方面，本研究將使用高壓高溫輔助蝕刻機制，結合快速的蝕刻速率、良好的表面粗糙度與非機械式攪拌方式等特性，用於製作各式薄膜微結構，達到大幅降低製程時間，並增加製作薄膜微結構之良率。 本研究將以KOH與TMAH溶液為蝕刻液，整合薄膜沉積、微影(lithography)、電漿蝕刻等製程技術來進行研究計劃，並購裝具高壓控制、高溫控制、抗侵蝕及高強度等特色之高壓暨高溫濕式矽蝕刻系統，進而改善矽蝕刻特性。研究中所獲得的最佳參數，將應用於高精度矽微結構與薄膜微結構的製作，以達到批次量產的目的，實現低成本微機電系統的製造與應用技術。
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    高溫暨高壓蝕刻機制應用於單晶矽非等向性濕式蝕刻之特性研究
    (2005-11-10) 楊啟榮; 程金保; 楊証皓; 施建富