Browsing by Author "洪瑄璟"

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    低維度鈣鈦礦材料在發光二極體及光響應元件之光電特性與應用
    (2024) 洪瑄璟; Hung, Hsuan-Ching
    本論文涵蓋兩個主題的研究：一個是無藍害鈣鈦礦發光二極體的製作，另一個是兩種鈣鈦礦材料藉由旋轉塗佈法製成二維鈣鈦礦光響應元件。在無藍害鈣鈦礦發光二極體的研究中旨在透過控制低維度之〖 〖BA_2 MA_(n-1) Pb〗_n I〗_(3n+1) 的組成以製作出放出近似蠟蠋光色之發光二極體。在選擇材料的適當組成比例後，引入不同電子、電洞傳輸層進行效率量測以找出最適合之元件結構。最後，使用差溶劑處理、吹氮氣處理兩種方式修飾鈣鈦礦薄膜進而優化元件的量子效率，可將其量子效率提升至原本的1000倍。在二維鈣鈦礦光響應元件的研究中旨在將鈣鈦礦溶液透過快速簡單的旋轉塗佈法形成鈣鈦礦薄片並製成元件探究其光電特性。本研究使用兩種材料分別為：MA_3 Bi_2 I_9、Cs_3 Bi_2 I_9 ，所製作的鈣鈦礦薄片最薄僅約2nm，且可由光學顯微鏡所看到的顏色簡單辨認晶體厚度之大小。在 MA_3 Bi_2 I_9 之研究中對電學特性有較多的探討，可藉由量測電壓與電流之關係圖得到缺陷密度等材料參數，亦可由光電流與暗電流之電流差異得知 MA_3 Bi_2 I_9 晶體有製成光電導體（Photoconductor）之潛力。而〖 Cs〗_3 Bi_2 I_9 則著墨較多在其光學特性之探討。藉由量測其低溫 PL特性得知〖 Cs〗_3 Bi_2 I_9 晶體之能隙、半高寬等隨溫度的變化與傳統半導體更為相似，亦可得知如激子結合能等材料相關參數。兩種材料之晶體在光學、電學特性上所得到的成果，讓未來進行薄片之特性量測時可有所期待。