Browsing by Author "王世安"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • No Thumbnail Available
    Item
    整合氧化鋁鐵電記憶體之氧化錫薄膜電晶體元件電性探討之研究
    (2019) 王世安; Wang, Shih-An
    本研究首先探討鐵電電容在不同退火溫度下之影響。鐵電電容在600oC~800oC中，漏電流隨著退火溫度上升而無明顯變化，有利於不同溫度下之製程整合，而在鐵電特性上，會隨著溫度上升而增強，但同時極化迴圈開口也會增大。在P型薄膜電晶體中，Id-Vd輸出特性有明顯截止區與飽和區，在汲極電壓與閘極電壓為-2V時，電流為1.10A。Id-Vg轉移特性中，在±2.5V中有3個數量級之開關電流比 。漏電流約在10-9 A，顯示10nm之氧化鋁鉿薄膜較好的閘極介電薄膜。 在串聯HfAlOX薄膜厚度為10nm之鐵電電容中，電容面積隨著200x200m2至50x50m2，Current-Ratio Memory Window從67.00增加至362.80。當電容越小，匹配越好，Current-Ratio Memory Window越大。在相同面積50x50m2下改變不同串聯厚度，從5nm至10nm，Current-Ratio Memory Window從7.11增加至362.80，當厚度越厚，匹配越好，Current-Ratio Memory Window越大。根據參考文獻之模擬，當電晶體電容與鐵電電容在電荷(Q)-電容(C)圖中相交於兩點，電壓來回掃時，會分別經過這兩點，而使電荷陡峭上升，因而形成電滯迴圈，在固定電晶體電容值，改變鐵電電容值時，鐵電電容越小則Current-Ratio Memory Window越大，實驗結果與參考文獻相符。在資料儲存Retention測試中，P型氧化錫薄膜電晶體串聯厚度為10nm、面積50x50m2氧化鋁鉿鐵電電容經過1000秒後有最高的開關電流比，為較佳測試條件。
  • No Thumbnail Available
    Item
    組織創新氣候對工作績效之影響—以員工創新行為為中介變項
    (2024) 王世安; Wang, Shih-An
    當前國際趨勢不穩且鑒於市場持續動盪等因素，許多企業為了保持市場競爭力，會開始由內部著手推動組織創新氣候，因為這能激勵員工提出新想法，加速產品開發，以應對市場快速變化，並確保企業保持競爭優勢。本研究係以T公司支領月薪制之全時員工作為研究對象，並排除外包、派遣員工、部分工時、日薪制以及時薪制員工。研究以組織創新氣候作為前置變項，以員工創新行為作為中介變項，並以工作績效作為結果變項，來進行相關研究，其中工作績效分為任務績效及脈絡績效兩個子構面。研究結果顯示：(1)組織創新氣候與員工創新行為具有正向影響；(2)員工創新行為對工作績效具有正向影響；(3)組織創新氣候對工作績效具有正向影響；(4)員工創新行為在組織創新氣候與工作績效間具完全中介效果。因此，本研究以T公司作為組織創新氣候典範案例，提供將要或正在推動組織創新氣候之企業提出相關實務建議，及有效提升員工工作績效方法。