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    磊晶氮化鎵奈米線在藍寶石晶圓之製備及光電性質
    (2005) 王曉雯
    奈米線奈米管等一維奈米材料，因為在化學及物理上新穎且有趣的特 性而受到廣大的重視，一維半導體結構也被視為作為奈米尺寸電及光電 元件最普遍的材料。然而，處理這些奈米材料的電性接點相當不易，侷 限了其應用。我們製備了一個新型的金屬-半導體-金屬(M-S-M)的紫外光 偵測器，用磊晶氮化鎵奈米線作為光導材料。氮化鎵薄膜層用標準的微 影蝕刻技術以及反應性離子蝕刻技術來製造出溝槽寬10微米的M-S-M結 構。催化成長出連接兩端氮化鎵塊材的磊晶氮化鎵奈米線，其平均直徑 50±5 奈米，長度10±2 奈米。光導量測顯示出氮化鎵奈米線在3.4eV有 個內價帶躍遷的單一吸收。而且此紫外光偵測器量測出最大的反應度可 達到4×104 A/W，這個值遠遠大於已知的氮化鎵薄膜紫外光偵測器兩個 數量級以上。這樣高的光反應性或許來自於一維材料中較少的晶格散射 以及較高的載子遷移率。