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    應用超快雷射技術於石墨烯奈米銀金屬粒/聚醯亞胺複材之熱檢測元件探討
    (2020) 蕭鈞庭; Hsiao, Chun-Ting
    本研究利用超快雷射製程技術(Ultrafast laser processing technique)進行微結構(Microstructures)之熱元件(Heating device)製作及其特性之探討,以應用於氣體檢測(Gas detection)。在本研究中會使用超快雷射直寫技術分別於石墨烯(Graphene)/聚醯亞胺(Polyimide, PI)基材及奈米銀(Silver nanoparticles, AgNPs)/石墨烯/PI基材進行雷射測試,固定重複率為300 kHz、加工次數3次下,在振鏡掃描速度為500 mm/s及雷射能量密度為2.45 J/cm2,完成薄膜製程及元件製作,並依此參數製作不同寬度熱檢測元件。研究顯示在相同寬度5 mm下,石墨烯/PI基板給予功率6.10 W時,最高溫約134 ℃;奈米銀/石墨烯/PI基板給予功率5.83 W時,最高溫約104 ℃。另外,在相同寬度6 mm下,石墨烯/PI基板給予功率為6.10 W時,最高溫約110 ℃;奈米銀/石墨烯/PI基板給予功率4.48 W時,最高溫約113 ℃。進一步本研究顯示在寬度6 mm之奈米銀/石墨烯/PI基材熱檢元件,能給予較少功率,產生出100 ℃以上溫度,且基材彎曲90 o時,溫度仍能維持在100 ℃以上。同時,本研究搭配設計所製作的指叉狀(Interdigitated)電極元件進行氣體量測,研究顯示在一氧化氮(Nitric oxide, NO)濃度為650 ppm時,該元件電阻值可從78 上升至85 ,氣體響應值約9 %,且氣體響應值會隨氣體濃度增加而上升。

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