Browsing by Author "鍾武雄"

Now showing 1 - 8 of 8

Fabrication of micro free standing structure in p-type silicon using an electrochemical etching technique
(2005-11-25) 楊啟榮; 林明憲; 湯杜翔; 鍾武雄; Yang; Chii-Rong; Lin; Ming-Hsien; Tang; Du-Hsiang; Chung; Wu-Hsung
An electrochemical etching technique is suitable to the application of MEMS silicon bulk micromachining. In this work, a HF-ethanol-H2O based electrolyte, modified by adding anionic surfactant MA, was used to evaluate the etching properties of p-type silicon in electrochemical etching. The high-aspect-ratio trench structures and free-standing beams were also fabricated with only single step mask. The results indicate that the pattern of initial pits significantly affects the etching rate of the macropores and the morphology of the etched trench structures. The surfactant MA can drastically reduce the roughness and significantly affect the topology of the etched surface. Because the contact angle of HF-ethanol-H2O-MA based electrolyte is about 6.4 times lower than that in HF-ethanol-H2O based electrolyte. However, the etching rate in MA-added electrolyte is lower than that obtained in electrolyte without MA. Moreover, the wall width of trenches is kept on about 2μm independently of the current density and the width of etching mask. Furthermore, the etched depth is proportional to etching time, but the etching rate is inverse proportional to the etching time. Because the etched depth grows deeper, the concentration of electrolyte at the pore tip decreases linearly with length. The trench structures with aspect ratio of around 40 have been obtained in this study. The free-standing beams are also fabricated with only one mask by controlling the current density.
全玻璃渾沌對流式微混合元件製作
(2005-11-25) 楊啟榮; 謝佑聖; 唐隆綾; 鍾武雄; 施建富
微混合器為流體系統中十分重要之元件，於化學合成、生醫檢測及藥物輸送方面皆有廣泛的應用。玻璃基材具耐高溫、熱阻絕性佳、化學性質穩定與電性絕緣等優點，適於製作需高溫操作或分隔熱區功能之晶片。然而玻璃之深寬比受製程限制，因此混合元件設計上需將此限制加以考慮。本研究利用玻璃晶片為基材，建立玻璃深蝕刻與融熔接合之技術，製作能夠提供高溫操作、分隔熱區之被動式微混合晶片。並以流體數值分析法評估微混合器混合效果，具體實現立體c型渾沌對流式之混合器。製程方面建立蝕刻深度100μm以上的深蝕刻製程技術，並將Pyrex 7740之側蝕比則經由退火從2.52大幅改善至0.96。
微反應晶片應用於硒化鎘奈米微粒合成之研製
(2005-11-10) 楊啟榮; 謝佑聖; 唐隆綾; 鍾武雄; 張峻銘
玻璃深蝕刻技術開發應用於複合量子點合成之微反應晶片製作
(2006) 鍾武雄; Chung Wu Hsung
本研究主要製作一應用於合成複合量子點之全玻璃微反應晶片。並將微流體系統之微流道、微混合器、白金加熱器及溫度感測器整合在此單晶片上。在玻璃微流道的製作方面，以較厚的光阻及鉻/金薄膜作為蝕刻保護層，可有效減少針孔現象的產生；並將蝕刻金膜之王水，換成不會破壞光阻之碘化鉀溶液，可使微流道邊緣之缺陷部份獲得改善。另外，在退火溫度對玻璃側向蝕刻(lateral underetching)的實驗中，證實了當退火溫度到達600 ℃時，可有效抑制Pyrex 7740嚴重的側蝕現象，經氫氟酸(HF)溶液蝕刻10分鐘後，其流道斷面寬度從498 m縮減至278 m，側蝕比(lateral underetching ratio)可從5降低至0.96。而Corning 1737與Soda-lime雖然不須經過退火處理過程，即可獲得較小之側蝕比，但是Soda-lime之表面粗糙度較差，因此本實驗選擇Corning 1737作為微反應晶片之基材。在複合量子點的製備上，微流體系統擁有良好的質傳及熱傳效果，可以精確的控制反應溫度、反應時間及溶質濃度，因此可有效提升量子點的品質及改善奈米粒徑分佈不佳的問題。除此之外，對於反應溫度控制在200 ℃至280 ℃ 的硒化鎘(CdSe)，其吸收波峰從450 nm移至550 nm，能隙大小從2.58 eV降低至2.3 eV，並推估其粒徑大小為2-6 nm。由此可知，當反應溫度升高時，吸收波峰往紅色波長的方向移動，而能階則隨著粒徑的增大而變小。
玻璃深蝕刻技術開發與被動式微混合器之製作
(2006-11-24) 程金保; 楊啟榮; 鍾武雄; 吳俊緯; 張明宗; 謝佑聖
玻璃深蝕刻技術開發與被動式微混合器之製作
(2006-11-24) 程金保; 楊啟榮; 鍾武雄; 吳俊緯; 張明宗; 謝佑聖
複合量子點合成之玻璃微反應晶片開發
(2006-11-30) 楊啟榮; 程金保; 鍾武雄; 吳俊緯; 彭榆鈞; 謝佑聖
複合量子點合成之玻璃微反應晶片開發
(2006-11-30) 楊啟榮; 程金保; 鍾武雄; 吳俊緯; 彭榆鈞; 謝佑聖