Browsing by Author "陳萬暉"

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    石墨烯場效電晶體製作及特性研究
    (2013) 陳萬暉; Wan-Huei Chen
    現今科技發展日新月異，一日千里，電晶體製程逐漸縮小化，且根據「摩爾定律」，於未來2020年閘極製程長度預估為7.4 nm，而首當其衝之問題則為矽製程之物理極限，因此必須尋找新穎材料代替矽，近年來對於下一世代半導體研究主題如：奈米碳管（Cabon Nanotube）、奈米線（Nanowires）與石墨烯等等。因石墨烯具有高電子遷移率、良好熱導率與準二維結構之優異特性，故本實驗將選擇石墨烯作為代替矽之新興材料。 因單層石墨烯為零能隙材料，故本實驗為利用化學氣相沉積法製備少層石墨烯，並藉由TRT轉印至基板，並利用諸多儀器測量其特性，而本實驗所製備之石墨烯其透明度為91.5%、片電阻為2.62 ± 0.48 kΩ/sq、2D/G為0.81與D/G為0.09。 有別於其它文獻，本實驗將石墨烯應用於場效電晶體，所利用方式為金屬光罩加上脈衝雷射蝕刻，其製作方式簡單、速度快且成本花費低廉，最後再將石墨烯場效電晶體量測其電性。