Browsing by Author "陳韋廷"

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    基於可變空間規畫之半導體封測產能重新配置
    (2022) 陳韋廷; Chen, Wei-Ting
    過去幾年來，由於各種新興資通訊產品(如第五代行動通訊、高效能運算等技術)穩步發展，半導體測試之需求不斷將會再提昇。廠商於追求營收與獲利成長的同時，必須考量，如何求公司內部生產設施與外包廠商產能之最適規劃，以兼顧測試品質，並且可避免產能擴充過於快速，於景氣衰退時面臨利用率過低的問題。過去，多有學者導入新型規劃法(De novo Programming)，求廠內與外包廠商產能配置之最佳化，唯新型規劃法所求解與渴望水準(Aspired Level) 仍有所差距，並非實際可達之最佳化。因此，本研究導入可變空間規劃法(Changeable Space Programming)，發展測試廠渴望產能之規劃模型。本研究將以某封測廠產能規劃之案例，實證分析模型之可行性。依據實證研究，可變空間規劃確實較新型與線性規劃法所得之結果為佳。發展完善之架構，將可用於將任何工廠之設備配置最適化。
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    氧化鋁覆蓋層效應於堆疊型與混合型氧化鉿鋯鐵電記憶體之電性分析與切換可靠度探討
    (2022) 陳韋廷; Chen, Wei-Ting
    鐵電記憶體(Ferroelectric Random-Access Memory)具有低耗能以及高讀寫次數等優點，對於元件效能優化與高可靠度保有競爭優勢；隨著科技日新月異，電子元件朝向微小化，而傳統鐵電材料面臨厚度微縮限制且有元素擴散等問題，因而近年來發展以二氧化鉿(Hafnium-Oxide, HfO2)為基底之新興鐵電材料，其有利於元件微縮並優化製程相容度。二氧化鉿能透過元素摻雜方式使得晶格相轉，改變鐵電特性，其中與鋯元素所形成之氧化鉿鋯(Hafnium-Zirconium-Oxide, HfZrO)由於能夠摻雜的濃度範圍較廣，相對易於呈現優良之鐵電極化，對於元件應用具有潛力；於先前研究得知適量的鋯元素能增益極化，因此本實驗選用之摻雜比例為50 %，以達到較佳的極化量。而鋯元素在高溫下之穩定度不盡理想，容易因介面缺陷增加而導致漏電流上升現象。因而本實驗以堆疊(Stacked)形式沉積鐵電層並比較混合(Mixed)沉積形式，期望透過堆疊型結構來改善鋯元素的不穩定度對於電性與鐵電極化之影響。於覆蓋層效應對於鐵電特性與電性變化，在沉積後退火(Post-Deposition-Annealing, PDA)溫度條件450℃，堆疊型與混合型結構皆於增加錶值厚度3 nm氧化鋁覆蓋層後，呈現鐵電極化增益，其兩倍殘餘極化量(2Pr)分別為34.66 μC/cm2以及41.57 μC/cm2，並提升電容數值，於漏電流則分別由8.17×10-9 A與1.01×10-7 A抑制為4.22×10-9 A與9.33×10-9 A；在可靠度分析耐久度(Endurance)測試結果，操作電壓為±2.9 V時，經過循環操作次數10 5後，透過增加氧化鋁覆蓋層有助於鐵電電容保有較佳殘餘極化量並提高可承受之操作次數至10 7循環，延後元件崩潰(Breakdown)。於類神經型態分析，兩種結構皆以增加氧化鋁覆蓋層後呈現較低的非線性度數值(α)，意即提高鐵電電容之線性程度，因而說明增加覆蓋層對於元件未來之應用有所助益。關鍵詞：氧化鉿鋯、覆蓋層效應、可靠度測試、類神經應用