Browsing by Author "黃紹緯"
Now showing 1 - 1 of 1
- Results Per Page
- Sort Options
Item 使用0.18-μm互補式金氧半製程之鎖相迴路與頻率合成器之設計與實現(2014) 黃紹緯; Shao-Wei Huang對於各類通訊系統而言,隨著操作頻率越來越高,鎖相迴路也在其扮演著越來越重要的角色,而為了適應不同通訊系統規格的應用,鎖相迴路所要求的電路規格也有所不同,但還是會以低功耗與低相位雜訊為主要目標,只是這些目標還有許多問題需要克服,因此如何在各種電路特性上做取捨是最重要的議題。 在第四章實現了應用於5 GHz的鎖相迴路,其使用變壓器回授的壓控振盪器與高速的TSPC除頻器,讓鎖相迴路能達成低功耗與降低相位雜訊的目標。此外我們在振盪器中增置一組變容器來提高電路的調變範圍,而量測的相位雜訊在正常偏壓下,載波偏移100 kHz處為-88.15 dBc/Hz;在載波偏移10 MHz處為-117.89 dBc/Hz,整體功率消耗為26.5 mW,若在低偏壓下,載波偏移100 kHz處為-90.88 dBc/Hz;在載波偏移10 MHz處為-115.8 dBc/Hz,整體功率消耗為12.12 mW,操作範圍為4.33~5.1 GHz。 第五章實現了應用於X頻段的頻率合成器,其使用交叉耦合對的LC振盪器架構、電流模式邏輯除頻器與多模除頻器,來達成降低相位雜訊的目標。並且我們在LC振盪器中增置一組電容來提高共振腔中的品質因素,以提高電路相位雜訊的表現,此外在預除電路的部分的,我們將電流模式邏輯除頻器的尾電流源部分刪除以增加其操作速度。量測的相位雜訊在正常偏壓下,載波偏移100 kHz處為-67.28 dBc/Hz;載波偏移10 MHz處為-119.3 dBc/Hz,整體功率消耗30.26 mW,若在低偏壓下,載波偏移100 kHz處為-67.28 dBc/Hz;載波偏移10 MHz處為-119.3 dBc/Hz,整體功率消耗17.01 mW,操作範圍為10.43~10.77 GHz。