Browsing by Author "Chang, Ching"

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    鐵電氧化鉿鋯於環繞式閘極電晶體(GAA)及用於疊接氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)
    (2020) 張靖; Chang, Ching
    近年來隨著智慧型手機、物聯網(IoT)的發展，元件都必須具有體積小、高效能等特點，目前可以透過鰭式電晶體、環繞式閘極電晶體等多閘極電晶體，使閘極能夠有效控制元件，降低漏電流，解決元件尺寸持續微縮，所造成的短通道效應，以延續摩爾定律(Moore’s Law)；5G通訊、電動車發展之下，功率元件需求大增，由於氮化鎵材料耐高溫高壓，並且具有的極高電子遷移率和寬能隙等特性相當符合功率元件使用。 本論文分為三個部分，第一部分實驗，在矽基板上堆疊二氧化矽和多晶矽用來取代 SOI 晶圓以降低成本，並以鐵電材料Hf1-xZrxO2 (HZO) 作為介電層，其中介電層分為兩種，一種為單層Hf0.5Zr0.5O2 ，另一種以2層Hf0.5Zr0.5O2 夾著Al2O3 ，應用於環繞式閘極電晶體，進行 Endurance和Retention量測。第二部分探討GaN 高電子遷移率電晶體(HEMT)的元件特性。最後一部分將鐵電電晶體與氮化鎵HEMT疊接，利用鐵電材料之負電容效應，改善次臨界擺幅(SS)，並且提升臨界電壓，使氮化鎵HEMT變為增強型(E-mode)，讓此疊接電路同時具備氮化鎵HEMT和鐵電電晶體之特性。