Browsing by Author "Chang, Wen Han"

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    二硒化錸機械剝離前後及氧致缺陷變化
    (2022) 張文翰; Chang, Wen Han
    二硒化錸 (ReSe2) 層狀結構的半導體屬於過渡金屬二硫族化物 (TMD) 材料。層狀材料 (二維材料) 發展快速，在半導體產業上有廣泛的應用。而我們使用超高真空環境下，進行STM 與 STS 測量，來了解ReSe2表面物理特性。利用機械剝離方法 (Fresh) 觀測ReSe2前、後、曝氧表面，發現表面上有相關的變化。形貌上我們可以得知主要由亮暗點所構成，以往ReS2、MoS2 、MoSe2同屬二維材料的樣品中亦可觀察到亮暗點的變化，而ReSe2中更可以發現曝氧時顯著的差異於表面上呈現，我們可透過比對其他二維材料樣品後發現，ReSe2樣品於表面上吸附氧的能力有所不同。此次實驗在室溫下STM表面掃圖也較為清晰，更於小尺度時有清晰的原子結構表現。我們接著使用掃描穿隧能譜 (STS) 進行電性上的分析，較為明顯的比較於曝氧後與曝大氣後有相關，這也是我們曝氧的目的，進而佐證大氣中影響的主要角色為何?實驗的主體為形貌分析與電性分析，主要以分段放氧來分析ReSe2樣品，比較後可發現氧氣在ReSe2表面上有更強的吸附力，也是能隙調控的重要條件之一。