Browsing by Author "Chen, Jia-Hong"
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Item 1920年代臺灣與朝鮮文化啟蒙運動及主張之比較分析:以蔡培火與李光洙為例(2018) 林品君; Lin, Pin-Chun1920年代臺灣與朝鮮在日本殖民統治放寬言論、出版、集會自由的限制下,知識分子熱切地帶起文化啟蒙運動,主張要趕上世界的「改造」風潮,使傳統社會能脫胎換骨,在競爭的文明世界中生存下來。蔡培火與李光洙為此提出主張,他們皆出身貧困,藉由他人的資助前往東京留學,藉由留學經驗接觸並思考西方近代文明,在這期間逐漸形成他們的近代世界觀,由此他們重新評估傳統文化,並為臺灣與朝鮮社會提出改造方針。 蔡培火與李光洙將近代西方文明奉為典範,希望積極學習西方的人文和科學知識,以去除傳統文化中的陋習,改善傳統社會在精神上的閉塞、遲鈍,警告若不思進步便會被弱肉強食的世界淘汰,擺脫不了被強權宰制的命運。蔡培火與李光洙皆相信,唯有積極主動地學習新文明,改革傳統,殖民地人民才能提升自身落後的文化,從而創造新文化,掌握自己的未來。 蔡培火的改造原理是人道主義,他主張此人道主義是超越不同政治立場的,以此來避免以自身利益對抗異己,因而能長久推動文化啟蒙運動,培養臺灣人民具備能適應並經營近代化生活的人格。蔡培火並積極參與臺灣文化協會的活動,也做為臺灣議會請願運動的領袖之一,但他的主張並非臺灣完全自治,而是希望臺灣議會做為日本本地與臺灣之間互相了解的橋樑,以改善總督與在臺日人專政的情況,使臺灣人民可以得到平等待遇;李光洙則為朝鮮的未來提出「民族改造論」,主張成立「改造同盟」,此團體只著重文化修養而不涉政治,致力於學習近代文明知識和精神,有組織地篩選並栽培會員,逐步擴大至一定規模後,便能帶領社會的近代化,完成朝鮮自19世紀以來的「開化」之夢。本文著重在分析並對照此二人如何認識世界─他們的近代觀─以及他們如何認識自己的社會傳統和提出什麼樣的改造方法,藉此了解他們對世界運作規則和自處姿態的思考方式,作為當代社會的思想資源。Item Item 建構「客家知識體系」之探析:以客委會獎助客家研究優良博碩士論文(民國92-107年度)為中心(2019) 白晅; Bai, Shiuan本文旨在以釐清「客委會獎助客家研究優良博碩士論文」對於建構「客家知識體系」扮演何種角色、做出何種貢獻。 為達此目的,本文首先從該獎助計畫政策面與執行面著手,還原了政策產生的時空背景,再呈現歷年作業方式、獎助件數與金額的變遷,並試圖找出影響政策制定與執行之因素。 接著,本文依照歷年獎助成果將獎助政策分為三期,並依序呈現各年度、各分期中獎助論文之學科方法、議題焦點分布,以勾勒共 823 篇獎助論文呈現了何種「客家研究 」面貌,並指出其趨勢。 最後,本文梳理了晚近學界對於「客家研究」(Hakka studies)、「客家學」(Hakkaology)以及「客家知識體系」概念意義之論辯,並在前文的基礎上將「客委會獎助客家研究優良博碩士論文」置於建構「客家知識體系」的脈絡中,討論其扮演何種角色、做出何種貢獻。 「結論」除了總結本文研究成果,尚有「政策建議」一節,係從本文研究成果出發,對客委會「獎助客家研究優良博碩士論文」以及「發展客家知識體系」等政策提出未來展望與建議,供其參考與應用。Item 臺灣國民小學九年一貫課程客家語教材之演變分析(2001-2018)(2019) 邱威智; Chiu, Wei-Zhi本研究首先探討本土語言教育之發展背景,梳理本土語言教育從無到有,最後於九年一貫課程,單獨設科教學之歷程,瞭解本土語言教育政策之演變。接著分析三個年度之客家語課綱,羅列課綱的變化,比較不同之客家語課綱所著重之方向有何不同。後續再梳理客家語教材之歷程演變,整理九年一貫課程實施之前與之後的客家語教材,討論地方與中央政府對於客家語教材編輯與出版的影響。 九年一貫國小客家語教材之變遷與比較為本研究的核心,藉由四個項目:編印設計、課文內容、教學實施、學習評量。討論部編版、康軒版、翰林版,在不同課綱之間,各自客家語教材之變化。最後再綜合比較三個版之客家語教材變遷。 再來將前項統整之客家語教材變遷內容,放置於歷史脈絡中。從課綱層面、拼音層面與學習評量層面,三個層面探討影響客家語教材演變之可能原因。最後根據本研究之成果,總結九年一貫課程國小客家語教材之演變,並給予十二年國教課綱,國小客家語教材之建議。Item 鐵電電容式記憶體增強開關比之技術(2024) 陳家弘; Chen, Jia-Hong鐵電記憶體(Ferroelectric Memory)是一種基於鐵電材料特性的非揮發性記憶體技術。鐵電材料具有自發極化的特性,即在沒有外加電場的情況下,材料內部會形成電偶極,並且這種極化可以被外加電場反轉,當施加一個電場時,鐵電材料內部的電偶極會隨電場方向翻轉,形成兩種穩定狀態,分別代表二進制的「1」和「0」,這種特性使得鐵電材料成為儲存訊號的理想材料。而鐵電電容式記憶體(Ferroelectric Capacitive Memory,FCM)包含在其中。此次研究首次展示具有SOI(Silicon-On-Insulator)基板和雙層HfZrO2(Double HZO,DHZO)的鐵電電容式記憶體其電容的開關比(Capacitive on/off Ratio,CHCS/CLCS)超過500倍。這一比率是FCM中的關鍵參數,表示記憶體可靠的儲存和檢索數據的能力。由於SOI在垂直方向上的空間限制,使得調控的空乏區域能夠在橫向方向上擴張以減少CLCS;此外,由於DHZO中高正交相(orthorhombic phase,o-phase)的比例,進一步增強CHCS,實現基於低電壓的飽和電容。對於DHZO-SOI FCM,實驗展示卓越的非破壞性讀取操作(Nondestructive Read Operation,NDRO),元件和讀取方案的操作週期均大於109次,並且在多階操作的4種狀態相比單層HfZrO2(Single HZO,SHZO)-SOI顯示錯誤率(Error Rates,ER)的改善。此技術包括DHZO和SOI的FCM是一個有前途的概念,具有潛在的非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory,NVM)應用。