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    使用原子層沉積法成長氧硫化鋅緩衝層的無鎘/無毒銅鋅錫硫硒太陽能電池
    (2020) 陳維浩; Chen, Wei-Hao
    銅鋅錫硫硒(CZTSSe)薄膜太陽能電池是極具淺力且便宜的新一代太陽能電池，由地表豐富的且無毒的元素組成。但眾所皆知的CZTSSe太陽能電池應用的N型材料為有毒且能隙較小的硫化鎘(CdS),這不僅會造成環境汙染且因能隙小(2.4eV)會吸收到短波長的可見光。為了克服這問題，本論文用寬能隙(2.7-3.2eV)且無毒的N型材料氧硫化鋅Zn(O,S)來取代CdS。 在之前實驗室的研究中，我們用化學水浴法(CBD)沉積無毒的Zn(O,S)與吸收層CZTSSe形成p-n接面。然後，發現用CBD的方式會形成寬能隙的副產物氫氧化鋅(Zn(OH)2)。因此我們提出了原子層沉積法(ALD)來成長Zn(O,S)，看中它的優點如精確控制薄膜厚度，精確控制材料化學計量，最重要的是不會產生副產物Zn(OH)2。 首先我們自己架設一台原子層沉積機台(ALD)在實驗室裡，並設計了穩定的參數。產生Zn(O,S)薄膜需要H2S氣體，因此我們找尋一個相對安全的方法去產生H2S氣體，且證明其穩定性與鋼瓶一樣穩定。透過量測X-射線光電子光譜(XPS)證明我們能藉由調控氧硫比例使Zn(O,S)的導帶位置改變。利用紫外光-可見光光譜儀(UV-Vis)來得到不同氧硫比例的吸收光譜以及帶隙位置，我們發現不論比例為多少的Zn(O,S)帶隙都是高於CdS。此外，我們從XPS和UV-Vis分析中證明透過ALD成長的Zn(O,S)是沒有副產物產生的。此外，經調整適當的氧硫比例，我們發現Zn(O,S)最佳厚度約30nm。X射線衍射儀（XRD）結果提供了有利的證據，相轉變會發生在40%
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    室溫合成無機鈣鈦礦CsPbBr3應用於電阻式記憶體之特性研究
    (2018) 陳暐豪; Chen, Wei-Hao
    無機鈣鈦礦CsPbBr3是一種半導體材料，不僅具有優異的半導體材料特性，還具有良好的離子導電性、良好的光吸收率與成本低等優點，這些特性使得這類材料在電阻式記憶體RRAM相當具有潛力。 本論文使用室溫反溶劑合成的方法來合成無機鈣鈦礦，並使用旋轉塗佈的方法應用於RRAM上Metal/Insulator/Metal三明治結構中的絕緣層，其中會透過有修復缺陷的鈣鈦礦薄膜與無修復缺陷的鈣鈦礦薄膜的電性量測進行比較，由電性量測結果發現無修復的鈣鈦礦薄膜，Set電壓約0.6V，Reset電壓約-1.9V；經過修復的鈣鈦礦薄膜為Set電壓約0.8V，Reset電壓約-2.6V，Set、Reset電壓都有增加的現象，但電壓電流特性曲線較為穩定。此外，將未修復的Ag/SiO2/CsPbBr3/SiO2/ITO樣品照射UV光，並測量低阻態與高組態時的電流變化，結果發現照射UV光時會產生光電流，造成低組態與高組態時的電流都會提升。