Browsing by Author "Chi-Cheng Tsai"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • No Thumbnail Available
    Item
    感光型聚偏二氟乙烯壓電薄膜之微影與應用特性探討
    (2004) 蔡其成; Chi-Cheng Tsai
    傳統之陶瓷壓電材料，如鋯鈦酸鉛(PZT)等，必須使用射頻磁控濺鍍法來進行薄膜沈積，或是以溶膠-凝膠法(sol-gel)旋塗後再高溫燒結(650 C-700 C)，所產生之製程設備昂貴、薄膜結構製程複雜或高溫燒結會使微元件受到破壞等缺點。然而，在微機電領域製作微小型結構，若材料承受高溫燒結，必會造成材料產生殘留應力過大之現象，使得微小結構遭受破壞、表面破裂等缺點。因此，必須發展新型焦電材料與結合低溫製程，以實現低成本微元件之開發。 高分子壓電薄膜材料聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride, PVDF)，以低溫烘烤(< 80 ℃)成貝塔相(β phase)後，再以外加強電場方式將薄膜極化，使其具備焦電與壓電特性。如此一來，薄膜成相不必經過高溫燒結過程，較不易造成殘留應力過大、微結構彎曲變形等問題。壓電材料PVDF本身具有高撓性之優點且屬低溫之製程，使在製作過程中不會產生應力過大現象。 本研究主要可分為兩大部份： 1. 利用添加感光藥劑，進行聚偏二氟乙烯溶液的改質，已開發出具備感光特性之溶液，並且以霍式轉換紅外光譜儀與X-ray粉末繞射儀，確定材料的結晶相。 2. 將可微影之聚偏二氟乙烯壓電材料，配合微機電製程技術，成功地釋放微結構。