Browsing by Author "Chung Wu Hsung"

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    玻璃深蝕刻技術開發應用於複合量子點合成之微反應晶片製作
    (2006) 鍾武雄; Chung Wu Hsung
    本研究主要製作一應用於合成複合量子點之全玻璃微反應晶片。並將微流體系統之微流道、微混合器、白金加熱器及溫度感測器整合在此單晶片上。在玻璃微流道的製作方面，以較厚的光阻及鉻/金薄膜作為蝕刻保護層，可有效減少針孔現象的產生；並將蝕刻金膜之王水，換成不會破壞光阻之碘化鉀溶液，可使微流道邊緣之缺陷部份獲得改善。另外，在退火溫度對玻璃側向蝕刻(lateral underetching)的實驗中，證實了當退火溫度到達600 ℃時，可有效抑制Pyrex 7740嚴重的側蝕現象，經氫氟酸(HF)溶液蝕刻10分鐘後，其流道斷面寬度從498 m縮減至278 m，側蝕比(lateral underetching ratio)可從5降低至0.96。而Corning 1737與Soda-lime雖然不須經過退火處理過程，即可獲得較小之側蝕比，但是Soda-lime之表面粗糙度較差，因此本實驗選擇Corning 1737作為微反應晶片之基材。 在複合量子點的製備上，微流體系統擁有良好的質傳及熱傳效果，可以精確的控制反應溫度、反應時間及溶質濃度，因此可有效提升量子點的品質及改善奈米粒徑分佈不佳的問題。除此之外，對於反應溫度控制在200 ℃至280 ℃ 的硒化鎘(CdSe)，其吸收波峰從450 nm移至550 nm，能隙大小從2.58 eV降低至2.3 eV，並推估其粒徑大小為2-6 nm。由此可知，當反應溫度升高時，吸收波峰往紅色波長的方向移動，而能階則隨著粒徑的增大而變小。