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    新型微機械式可變電容之設計與製作
    (2005) 黃信瑀; Hsin-Yu Huang
    本研究主要是設計與製作一新型微機械式可變電容，以改善傳統電子式變容器，其可調範圍較小、品質因子低、整合性不佳與寄生效應嚴重等缺點。然而，一般以靜電驅動之間距調整微機械式可變電容，其可動結構是以電鑄或沉積金屬薄膜方式製作，製程較為複雜，而本研究直接以黃光微影的方式，定義SU-8負型光阻以製作電容之可動結構，可簡化製程，此SU-8介電層也可使上電極板與基材有效絕緣以減少寄生效應，進而提升品質因子。本研究之新型微機械式可變電容，具有製程簡單、生產成本低、良率高等特點，除了可取代電子式變容器外，其整套製程也能與標準積體電路製程相容，因此有能力達成將微機械式可變電容與其他電子電路整合，實現系統單晶片(system on a chip, SOC)的目標。 本研究主要分為元件製程與訊號量測兩大部分： 1. 在元件製程上，成功地運用光阻犧牲層技術與犧牲層保護膜，製作出SU-8光阻之懸浮微結構。整個微機械式可變電容元件包括：下電極、光阻犧牲層、SU-8可動結構層與上電極，最後再將犧牲層移除，以完成元件製作。 2. 在訊號量測上，由電容電壓關係曲線得知，當頻率固定在2000 Hz時，此電容值變化是在外加偏壓為40伏特與無外加偏壓下的電容差值，則此元件具有0.3 pF的電容變化量。由史密斯圖得知，頻率從45 MHz至1.079 GHz的範圍內，此可變電容是電容性元件，其具有理想的品質因子，且等效電路為良好的開路。當頻率固定在1.079 GHz時，其輸入反射係數表示為S(1,1)=0.540/-176.102。