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    製備與鑑定新穎一維奈米結構：氮化鎵與二氧化矽
    (2003) 林宏旻; Hung Min Lin
    藉由VLS與SLS機制，我們成功地合成出具有特殊方向性的刷狀氮化鎵奈米晶體、非晶相二氧化矽奈米線，及二氧化矽包覆銦之一維奈米結構。 結合二次化學氣相沉積與氮化處理，我們製備出同質奈米接合產物--刷狀氮化鎵奈米結構其主軸奈米線直徑約70~150奈米，輻向奈米棒直徑約20~70奈米，依特殊對稱性排列於主軸上。進一步晶體結構分析得知，刷狀奈米晶體為單晶wurtzite氮化鎵結構，輻向奈米棒沿主軸之[01-1]方向磊晶而成，導致輻向奈米棒依特殊對稱方式排列。本實驗可應用於製備其他同質或異質奈米接合結構，如InN on GaN等。 此外，藉由低共熔點之鎵作為催化劑，並結合SLS機制，我們推測可於較低溫度下製備出二氧化矽奈米線。分析結果顯示，產物為非晶相二氧化矽奈米線，其直徑約10~40奈米並具有均一長度，垂直基板成長並排列成薄膜狀。實驗結果不如預期可降低奈米線成長溫度，然而此方法卻可推廣至其他低熔點金屬，催化成長高排列性之奈米線。 二氧化矽包覆銦之一維奈米結構的發現，是在成長磷化銦奈米線之偶然情況下被合成出來的。近一步鑑定得知，非晶相之二氧化矽管壁包覆著間斷的結晶性銦奈米棒，其管壁外徑約300~600奈米、內徑約200~500奈米。銦為低熔點高沸點、高膨脹係數之金屬，這使得二氧化矽包覆銦之一維奈米結構可應用於奈米尺寸下的溫度量測。 利用簡單高溫化學氣相沉積設備，我們製備出特殊一維奈米結構，關於其性質將有更深入的研究探討，而其潛在應用價值也是未來研究的重點。