Browsing by Author "Huo, Chien"

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    二維鹵化物鈣鈦礦薄片的製備與特性
    (2023) 霍謙; Huo, Chien
    本次研究我們採用溶液法，先使用水作為溶劑配置Pb(Ac)_2溶液作為前驅物，使用冰箱控制溫度並搭配旋轉塗佈機，成功在二氧化矽基板上生成大量Pb(Ac)_2的薄片晶體，直徑大小多為6~7μm，厚度大部分為10nm左右。接著透過二步法，配置MAI與MABr溶液，將溶液旋塗在Pb(Ac)_2上得到MAPbI_3與MAPbBr_3的鈣鈦礦，接著我們進一步配置PEAI溶液，用旋塗法把溶液塗佈在先前製成的MAPbI_3鈣鈦礦上合成二維鈣鈦礦，使用XRD、Micro PL量測後得到與文獻對應的PL峰值與XRD圖譜，確認有成功將Pb(Ac)_2轉換成鈣鈦礦。在搭配液態氮做變溫量測時，會由於晶格扭曲的原因，溫度越低PL峰值越高，並且會出現紅移的現象，透過阿瑞尼士方程式，我們得到MAPbI_3的激子束縛能E_b=44.07meV，MAPbBr_3的激子束縛能E_b=94.45meV，(PEA)_2 PbI_4的激子束縛能E_b=54.63meV，可以看出鈣鈦礦結構的侷限程度增加會讓E_b增加。同樣透過二步法，我們將掌性長鏈分子R/S-MBABr旋塗在MAPbBr_3鈣鈦礦之上，並用Micro PL搭配左右旋光測試不同掌性的分子對旋光的選擇性，並使用Micro PL量測材料的圓偏振發光(CPL)，並算出兩者各自的發光不對稱因子g_lum，雖然不同片鈣鈦礦晶體所算出的g_lum並不穩定，但(R-MBA)_2 PbI_4所得到的g_lum均小於0，而(S-MBA)_2 PbI_4所得到的g_lum均大於0，意味著(R-MBA)_2 PbI_4的CPL以右旋光為主，(S-MBA)_2 PbI_4的CPL則是左旋光為主，證明透過二步法所製成的掌性鈣鈦礦具有作為旋光材料的潛力。