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    X頻帶CMOS功率放大器設計
    (2014) 王人緯; Jen-Wei Wang
    X 頻帶有許多重要的應用，如軍事、雷達、衛星通訊及科學研究等。在過去，砷化鎵(GaAs)擬晶性高電子遷移率電晶體(Pseudomorphic High Electron MobilityTransistor, pHEMT)擁有高崩潰電壓、低雜訊等優點因此成為X 頻帶的主流。近年來，由於製程的改進，使CMOS 製程適合應用於X 頻帶，然而由於CMOS 製程中低崩潰電壓元件與高損耗的矽基板，在X 頻帶中高功率表現的CMOS 功率放大器設計仍是個挑戰。本論文基於 0.18 μm CMOS 製程，提出兩個應用於CMOS X 頻帶的功率放大器。第一個晶片採用兩路直接並聯電晶體與功率結合變壓器，透過最佳化變壓器之尺寸與輸入匹配電容，可達到雙倍輸出功率與較小的晶片面積。經由量測結果，第一顆功率放大器在10 GHz 飽和功率(Psat)輸出為23.1 dBm，功率附加效率(PAE)為12%。此晶片在8.6 GHz 有最佳表現，飽和功率(Psat)輸出為24.8 dBm，功率附加效率(PAE)為20%。含pad 之晶片面積為0.78 mm2。為了進一步提升輸出功率，第二顆晶片採用平行結合變壓器(PCT)技術，結合三組差動式功率放大器。由於較小的元件的尺寸，阻抗轉換比降低，因此簡化了輸出匹配網路設計。經由量測結果，第二顆功率放大器在10 GHz 達到了高的飽和功率(Psat)26 dBm，功率附加效率(PAE)為12.5%。此晶片在9GHz 有最佳表現，飽和功率(Psat)輸出為27.1 dBm，功率附加效率(PAE)為22%。含pad 之晶片面積只有0.88 mm2。