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氧化鉿鋯材料系統之鐵電工程以邁向新興記憶體與邏輯應用
(2022) 廖俊宇; Liao, Chun-Yu
鐵電氧化鉿鋯之鐵電工程為本論文主題，主要研究於記憶體及邏輯元件應用。記憶體應用方面，將討論鐵電場效應電晶體（FeFETs）可改善方向及面臨的問題，包括記憶體密度的挑戰、電荷俘獲和去極化效應以及wake-up效應。此外於電荷增加(charge boost)的發生機制中，將在反鐵電系統上採取有別一般理論的解釋方式，並提出雙向無電滯之方案。在第二章中，將使用反鐵電-正鐵電-電晶體進行兩位元的記憶體操作，其電晶體內含有四方晶向(tetragonal phase)及正交晶向(orthorhombic phase)的混合(反)鐵電向位。而四方晶向及正交晶向分別可以提供多峰矯頑場(coercive field)及殘餘極化(remnant polarization)的特性，進而得到較穩定的多位階操作及非揮發性記憶體能力。因此，利用反鐵電-正鐵電-電晶體在± 4 V的低電壓操作下，可得到多於10^5次的操作次數及在高溫環境下(65 ℃)的穩定資料儲存能力(>10^4 s)。而為了提高記憶體資料保存穩定性的目的，在第3章節中將使用非等厚度的雙層鐵電氧化鉿鋯作為閘極堆疊結構。雙層鐵電氧化鉿鋯結構是利用一層氧化鋁的介電質材料作為隔層，分別將兩層不等厚度的氧化鉿鋯隔開，其上層及下層的鐵電氧化鉿鋯分別為5奈米及10奈米。這種設計是為了避免單斜晶向(monoclinic phase)在較厚的氧化鉿鋯中產生，以維持鐵電極化特性。此外，上層及下層的矯頑場不同，使得每一位階更加穩定及獨立，可以有效降低讀取時的錯誤率，且與單層鐵電氧化鉿鋯的閘極設計相比，可改善600倍的錯誤率。因此，雙層鐵電氧化鉿鋯作為非揮發性記憶體的多階單元並進行2位元可靠度測試時，可得到>10^5次的循環操作及>10^4秒的資料保存能力。此外, 鐵電電晶體與三維結構技術的結合，例如:鰭式電晶體及閘極環繞電晶體，使得記憶體元件的尺寸能持續微縮至奈米等級，以增加單位面積下的記憶體單元，持續達到密度提升的目標。在第四章中，將三維的閘極環繞奈米片鐵電電晶體結構，並搭配雙層鐵電堆疊技術以作為高密度嵌入式非揮發性記憶體。而本章節中使用氮化鈦及氧化鋁兩種不同的隔層材料，其分別可對於操作電壓及記憶窗大小進行優化及改善。然而，奈米片的轉角結構使得極化方向互相抵消，產生較弱的極化區域-死區(dead zone)。而使用雙層氧化鉿鋯，外層的氧化鉿鋯有較大的曲率半徑，這可以減緩轉角效應。因此選擇TiN隔層的雙層鐵電氧化鉿鋯，可在± 3.5 V的操作電壓下，產生1.3 V的記憶窗、>10^11次卓越的操作能力及>2×10^4秒的資料保存能力。然而，鐵電電晶體1T架構中存在寫入後讀取(read-after-write)之資料保存流失(retention loss)問題，鐵電電晶體在給予正極性的寫入電壓後，造成電荷被捕獲且殘留在氧化層與半導體層的介面，此捕獲電荷會抵消鐵電的電偶子產生的極化反應，使得臨界電壓在「寫後讀」的不穩定，造成錯誤讀取。此外，當閘極氧化層減薄後，會產生更大的去極化場，導致鐵電極化的衰退，這必須依靠給予一個閘極偏壓去抵抗去極化場，以避免極化衰退。因此，第五章將探討n型鐵電電晶體的「寫後讀」行為，並利用-1.5 V的反向極性電壓協助電荷「去捕獲」，並同時調整基準電壓，以抵抗去極化場造成的鐵電極化衰退。在第六章中，將嘗試使用電漿增強原子層沉積系統(plasma-enhanced atomic layer doposition)進行鐵電氧化鉿鋯的薄膜優化。研究發現，使用電漿的輔助可減少氧化鉿鋯內的氧空缺(oxygen vacancy)，並使晶相形成較多的鐵電相位，避免電壓操作時的氧空缺重新排列造成的極化喚醒過程，達到免喚醒(wake-up free)的鐵電薄膜元件。另外，其可使用300 ℃的退火溫度，即形成良好的鐵電特性，以達到後段製程(BEOL)的所需的熱預算要求。負電容(negative capacitance)效應的理論根據與起源於目前尚有爭論。在過去幾年中，Landua-Ginzburg-Devonshire理論(LGD theory)被用解釋負電容現象產生的表面電荷增加。在第七章中，將使用另一解釋方式，利用反向切換(reverse switching)的概念討論電荷提升，實驗中使用AFE和AFE-DE系統來驗證反向極化切換所產生的電荷提升將會與飽和極化及殘餘極化的差有重要關係。此外，當AFE電容進行雙極性操作，可同時得到雙極性電荷提升及沒有遲滯現象的結果，此實驗結論支持了本實驗室於之前論文發表之電晶體實驗結果。
生態博物館建構歷程研究─以八煙聚落為例
(2016) 廖浚羽; Liao, Chun-Yu
　　本研究目的在於探究地方由下而上凝聚地方意識，透由生態博物館的建構歷程以展現地方實踐所獲得之成果，並以位於陽明山國家公園境內的八煙聚落為研究對象，採取民族誌、深度訪談法以及文件分析法作為本研究之研究方法。　　研究者探究八煙聚落的地方發展歷程，研析瞭解其在不同階段的發展轉變，以及公私部門、第三部門及居民所建構的地方現狀，整理繪製地方在生活、生產與生態的發展運作模式圖；並利用生態博物館的理論為觀點，分析地方如何進行多元發展及進行著地方實踐，以及統整八煙聚落作為生態博物館所呈現之類型。　　研究發現八煙聚落的居民普遍教育程度不高，加上位處山區，其與市區的生活接觸不頻繁，生活方面亦受國家公園的管制與保護。居民對於「博物館」的認識並不充足，甚至感到懼怕和距離遙遠之情，因此，居民雖然在體現生態博物館的建構工作，但其並不知曉其正在實踐生態博物館的理念。另外，居民對於地方的發展持有不同的觀點，這也反映居民對在地多元認同的情形，亦映照了不同機關與團體在地方從事輔導培力工作的軌跡，以及在願景不同下，不同的實踐過程，帶給居民不同的思維與現今所發生的撞擊。　　本研究認為八煙聚落正在進行以生態博物館化為發展策略的地方新社會文化運動，研究者歸納以下三點結論：一、以居民為主的論述，貼近地方發展需要；二、居民有多元性的管道，表達對地方發展的意見；三、居民在衝突與協調的實踐中，能逐漸對地方產生認同感與光榮感。
鐵電氧化鉿鋯之記憶體及鰭式電晶體
(2019) 廖俊宇; Liao, Chun-Yu
在半導體的領域中，電晶體在設計上追求精小，然而對效能的期望卻越來越高。因此，此領域的專家不斷地找尋新穎材料，嘗試加入在電晶體的製作中，希望能藉此突破現今所面臨的瓶頸。鐵電材料在近年來相當受到研究人員的注目，其材料擁有的雙穩態能被廣泛應用於記憶體的操作上。此外，鐵電材料中出現的負電容效應，有著電壓放大的效果，能有效打破次臨界擺幅(subthreshold swing, SS)的物理極限，以降低操作電壓VDD。本篇論文研究將使用鐵電材料-氧化鉿鋯(HfZrO2, HZO)作為絕緣層，在MFM(Metal-Ferroelectric-Metal)結構中替換不同的上電極金屬，探討遲滯曲線特性的改變。而在記憶體追求簡單的電路設計概念下，利用HZO鐵電電晶體來做出1T記憶體。最後在鰭式電晶體的製程技術下，搭載鐵電薄膜來突破次臨界擺幅的極限，同時達到尺寸微縮及效能提升的結果。