Browsing by Author "Lin, Wei-Ju"

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    氧化鏑鋅薄膜的法拉第磁光與電性
    (2021) 林韋如; Lin, Wei-Ju
    以脈衝雷射蒸鍍法在c方向藍寶石基板上製備氧化鏑鋅薄膜，並討論其結構、光學、磁光與電性特性。分析X光繞射光譜與拉曼光譜，並沒有產生其他晶相，隨摻雜濃度增加，晶粒尺寸變小，晶格常數變化不大。光致螢光光譜顯示，純氧化鋅有很強的近能隙發光，隨摻雜濃度增加，近能隙發光強度漸弱，缺陷發強度增強，主要缺陷為氧空缺、鋅空缺與鋅間隙。磁光光譜可看出，所有薄膜呈順磁性，與SQUID量測結果相同，Verdet constant大致隨波長增長而漸弱；其中缺陷所對應的發光波長，Verdet constant 與摻雜比例做圖，摻雜濃度10%響應為最強。量測電流-電壓曲線圖得知所有電極都為歐姆接觸。使用Van der Pauw法量測氧化鏑鋅薄膜的電阻率數值在0.078 mΩ·cm與277.72 mΩ·cm之間。霍爾效應檢測顯示氧化鋅為n型半導體，1%及5%的氧化鏑鋅薄膜為p型半導體，載子濃度在7.89×1018 cm-3與5.32×1022 cm-3之間，遷移率在4.3×10-4 cm2/Vs與35.13 cm2/Vs之間。
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    計算最大特徵空間之結構可調控二次方法
    (2025) 林威儒; Lin, Wei-Ju
    本研究結合冪次法(power method)與源自結構保持倍增演算法(Structure-Preserving Doubling Algo- rithm, SDA)之倍增策略，以加速矩陣運算。儘管SDA 原為求解離散時間代數Riccati 方程(DARE)所 設計，其迭代框架在本研究中被改造應用於主特徵空間之提取。透過變形之倍增程序，可近似求得對應 於主特徵值之特徵向量。然而，對任意矩陣而言，其收斂性未必得以保證。為改善此一問題，本文引入 一種受冪次法啟發之正規化策略:於每次迭代中以矩陣之範數進行縮放，以增強收斂行為。因此，我們 提出一種混合方法，稱為倍增演算法(doubling algorithm)。另方面，為保留有利於收斂之矩陣結構， 本文進一步提出自適應區塊分割演算法(adaptive partition algorithm)，透過適當區塊分割策略，在無需 正規化情況下，仍可保證迭代過程之收斂性。上述兩種方法提供彈性且高效率之主特徵空間計算策略， 並有助於提升迭代型矩陣演算法之整體穩定性。