Browsing by Author "Lin, Wu-Hsuan"

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    應用於第五代行動通訊之28 GHz相移器與升頻混頻器研究
    (2017) 林武璇; Lin, Wu-Hsuan
    本論文主要研究領域為相移器與升頻混頻器。近年來高速通訊蓬勃發展，從過去的語音傳輸，發展至現今影片與龐大資料的傳輸需要更高無線通訊的頻段，以滿足大量的資料傳輸需求，第五代行動通訊為近日研究主流，28 GHz為可能之發展頻段，故本文所設計之電路將以此頻段作為研究重點。 本論文前半段介紹各類相移器，並且針對開關式相移器進行分析，接著說明兩顆五位元開關式相移器之設計與實現。第一顆相移器，其中四個位元採用T橋式相移器，採用高通與低通電路的組合。經過重新設計後的版本，操作頻率為26 GHz至31 GHz時相位誤差均方根小於4.39°以及振幅誤差均方根值小於0.79 dB，在中心頻率28 GHz時，擁有2.72°相位誤差均方根值以及0.61 dB振幅誤差均方根值。 第二顆晶片也是五位元開關式相移器。為了達到增加頻寬的目的，相較於第一版本的90°相移器採用T橋式架構，此電路採用反射式相移器架構，其餘四個位元和第一顆相移器架構相同。操作頻率為26 GHz至31 GHz時相位誤差均方根小於4.06°以及振幅誤差均方根值小於0.88 dB，在中心頻率28 GHz時，擁有2.56°相位誤差均方根值以及0.83 dB的振幅誤差均方根值。 本論文後半段介紹第三個電路，也是最後一顆晶片，升頻混頻器，此電路採用被動式架構以及次諧波混頻架構，以達到高頻寬、低功耗以及高隔離度。中心頻率28 GHz，且LO驅動功率為2.5 dBm時，在24 GHz至38 GHz擁有 dB的轉換增益以及小於70 dB的2LO to RF的隔離度，在LO驅動功率為9 dBm，RF頻率為28 GHz下擁有-21.2 dBm的轉換增益。