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    二維材料介面導致鐵薄膜磁耦合分離現象
    (2018) 林宗佑; Lin, Zong-You
    本實驗旨在於探討鐵磁薄膜沉積在單層二硫化鉬(MoS2)與二氧化矽基板(SiO2 /Si(100))兩種不同表面上產生的矯頑場(coercivity)差異,其鐵薄膜具有不連續的磁耦合分離性質,並分析推測此現象的可能來源。 我們利用自製的化學氣相沉積系統(Chemical Vapor Deposition)合成大量二硫化鉬單層薄膜於二氧化矽基板,並以原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope)、拉曼光譜儀(Raman spectrum)驗證其大多為單層的厚度結構。其後於超高真空環境(10-9 torr)蒸鍍鐵薄膜於其上,再以磁光科爾顯微鏡(magneto optical kerr mi-croscope)量測之。結果上,我們發現樣品表面的磁滯曲線(hysteresis loop)呈現非方正的鐵磁曲線,呼應我們對於鐵膜微觀表面上具有許多磁性粒子團的預測,且異質介面導致鐵薄膜在不同介面上有著相異的矯頑場,是為鐵薄膜磁耦合分離現象,此現象伴隨著鐵薄膜厚度提升而逐漸消失。

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