Browsing by Author "Liou, Guan-Lin"

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    背通道改質對多晶氧化錫薄膜電晶體電性改善之研究
    (2017) 劉冠麟; Liou, Guan-Lin
    本研究首先探討通道層退火溫度，以及通道層沉積時的氧氣流量對於P型氧化錫薄膜電晶體的影響。通道層退火150oC時通道仍呈現金屬特性，而退火200oC後則顯示出有利於電晶體整流的半導體特性。此外，沉積氧化錫通道層時的氧氣流量越大有助於氧化錫晶粒成長，能夠提高元件的載子遷移率和驅動電流，但也因為晶粒增加使得漏電流增加，所以在沉積氧化錫時選擇合適的氧流量是很重要的。接著改變氧化錫通道層厚度，分別沉積6奈米、10奈米、15奈米的氧化錫通道層，其對應的載子遷移率分別為3.58 cm2V-1S-1、6.3 cm2V-1S-1、3.46 cm2V-1S-1，對應的開關電流比為1.58 x 103、9.55 x 10、6.21 x 10。由此現象我們可以了解到，通道層越厚通道層內的錫空缺就越多，導致電洞越多，且因為通道層厚度較厚，閘極控制能力下降，不足以排開電洞完全關閉元件。接著利用低溫氟電漿對氧化錫通道層進行改質，觀察氟電漿對氧化錫薄膜電晶體造成的影響。結果證實以氟電漿對通道層進行改質能夠改善氧化錫薄膜電晶體的漏電流。最後減薄氧化錫通道層厚度，並以退火溫度250oC、300oC、350oC進行通道層後退火，得到n型氧化錫薄膜電晶。本研究以通道層厚度6奈米為界線，當厚度大於6奈米之元件為p型氧化錫薄膜電晶體；當厚度小於6奈米之元件為n型氧化錫薄膜電晶體。