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Browsing by Author "Lo, Pei-Hsuan"

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    基於表面鈍化與添加劑工程之二維鈣鈦礦發光二極體
    (2025) 羅珮瑄; Lo, Pei-Hsuan
    本論文針對準二維鈣鈦礦材料於發光元件中的應用進行研究,聚焦於表面鈍化、結構掌性與添加劑工程三項關鍵技術,探討其對元件效率、穩定性及自旋極化發光的影響。在第一項工作中,選用RP型準二維鈣鈦礦 PEA2(FAPbBr3)2PbBr4 作為材料,透過熱退火與 TOPO 鈍化劑進行優化。結果顯示,90 °C退火60分鐘並搭配4 mg/mL TOPO處理可有效提升結晶性、抑制非輻射復合,並增加光致發光量子產率與外部量子效率,證實表面工程可改善元件性能。第二項工作是合成R-/S-NEABr掌性準二維鈣鈦礦,分析不同結構相組成與掌性光學特性。當樣品同時具有n = 2相時,激子可進行能量遷移並維持掌性訊息,產生CPL;反之,僅具n = 1結構者則雖有CD訊號但無CPL表現。元件應用上,本研究設計兩種LED架構。Type 1 LED以掌性鈣鈦礦為發光層,證實老化後之422樣品可產生CPEL。Type 2 LED則以掌性層作為CISS過濾層,搭配Super Yellow為發光層,僅於新鮮且添加[BMIm]OTf條件下觀察到明顯CPEL訊號。綜上,結構分層與介面優化對於掌性鈣鈦礦在自旋光電元件中的應用具有關鍵意義,亦展現其發展潛力。

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