Browsing by Author "Lu,Yi-Hung"

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    通過掃描式穿隧顯微鏡比較機械剝離法前後二硫化錸的電子特性
    (2017) 盧奕宏; Lu,Yi-Hung
    二硫化錸層狀半導體屬於過渡金屬二硫族化物(TMD)的材料。隨著二維材料的發展，這種 層狀半導體在表面上的電性是最近非常熱門的課題。藉由STM/STS的量測，我們更加認識二硫化錸在表面上的行為。 比較機械剝離法(簡稱Fresh)前後的二硫化錸的表面。首先進行Non-Fresh的直接量測，形貌上面本來有許多亮點與暗點，但是經過Fresh表面之後的ReS2亮點卻消失。藉由形貌去推斷ReS2上的亮點形成可能來自於ReS2吸附雜質或是表面突起，ReS2的暗點推測是結構上的缺陷或是表面凹陷。 此外，實驗顯示電性上ReS2是n-type的半導體，而且發現在Fresh過後的電性比Non-Fresh更有更多的電子載子的狀況。對比上述Non-Fresh所擁有的形貌特徵，吸附雜質並不會貢獻出載子消耗的變化，經由曝大氣之後的ReS2造成表面有局部的漣漪凸起會讓載子濃度降低。 將Fresh過後在大氣下曝氣兩個月的樣品再次進行量測，形貌和電子特性大致上還原成Non-Fresh的情況，說明經Fresh二硫化錸表面的特性受大氣的影響而且是會重複且發生。