Browsing by Author "Ruei-Siang Syu"

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    Sub-100nm及更先進製程之退火負載效應
    (2008) 徐睿翔; Ruei-Siang Syu
    最近十五年以來，快速熱退火製程時的圖案效應已經廣泛的被研究，可是這僅僅只能達到現在的元件生產要求，這類的RTA負載效應的研究與評估對於未來更先進的製程都是有相當難度的。隨著元件尺寸縮小，我們需要選擇新的退火技術來符合下個世代的工業科技。先進的退火技術，例如 Flash Lamp 退火（FLA）與雷射退火 (Laser) 將提供改善摻雜濃度的活化程度並減少雜質擴散(Transient Enhance Diffusion, TED)以達到超淺接面需求，針對源極,汲極與閘極區域部分，更勝於尖峰快速熱退火（spike RTA）技術。此時間小於千分之一秒的退火技術，通常寄予希望的，來藉此符合先進的CMOS製程技術。短時間的區隔尖峰快速熱退火和時間小於千分之一秒的退火技術在溫度上升時，在表面及局部的溫度分部將有明顯的影響藉著局部的設計圖形，這將可以歸因於矽的本質熱傳導係數和較短的側面熱的擴散長度。除此之外，我們將模擬在有圖型負載效應下的元件電性。 於是我們得到一個最佳化的情況就是在Laser 與FLA 的退火條件下，poly space 的間隔為0.22微米時為最佳化條件。而且此退火之負載效應在對於NMOS元件更勝於PMOS元件。