Browsing by Author "Shu-An He"

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    氧化鋅奈米線/奈米鑽石薄膜複合結構之特性研究
    (2009) 何書安; Shu-An He
    氧化鋅(ZnO)為一寬能帶間隙半導體材料，並且擁有許多吸引人的特性，例如奈米結構多變性、室溫下有很高的發光效率和高激子束縛能、高壓電特性、無毒性可應用於光電生醫方面。在本論文中使用氧化鋅奈米線(Zinc oxide nanowires, ZnO NW)和奈米鑽石薄膜(nanocrystalline diamond thin films, ND)製作複合結構，首先利用微波電漿化學氣相沉積系統成長奈米鑽石薄膜，接著分別利用水熱法以及VLS 法成長氧化鋅奈米線於奈米鑽石薄膜上。 研究結果發現水熱法成長氧化鋅奈米線/奈米鑽石薄膜複合結構之場發射起始電場可降低至5.6 V/μm、場增強因子為1286。VLS法成長氧化鋅奈米線/奈米鑽石薄膜結構之場發射起始電場為6.5 V/μm、場增強因子為1565，與單純奈米鑽石薄膜比較，證實成長氧化鋅奈米線於奈米鑽石薄膜上之複合結構有效提升場發射特性。單純氧化鋅奈米線之電漿後處理場發射特性結果發現，分別以氬氣電漿作用1、3、5分鐘後，發現氬氣電漿處理1分鐘可降低起始電場至12.4 V/μm、提升場增強因子至526。以氫氣電漿作用1、3、5分鐘後，得到結果為氫氣電漿處理3分鐘可降低起始電場至10.6 V/μm、提升場增強因子至903。綜合VLS法成長複合結構與氫電漿處理3分鐘之試片，起始電場為6.6 V/μm、場增強因子為1951，與前述之複合結構比較後，證實綜合VLS法成長複合結構與氫電漿處理3分鐘之試片擁有較佳的場發射特性。