Browsing by Author "Yen-Hsien, Lee"
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Item (1)血基質分子在二氧化鈦奈米粒子上的光化學(2)鋅二價席夫鹼錯合物的光物理(2006) 李彥賢; Yen-Hsien, Lee被修飾於二氧化鈦奈米粒子上的血基質分子(iron(III)protoporphyrin),經可見光激發後,可傳遞電子到二氧化鈦奈米粒子的傳導帶,此電子流可被外接安培計偵測。藉由連接外電路,電子流可被導入另一內含甲基藍(methylene blue)的電極,並將甲基藍還原成leucomethylene blue。可由其在265 nm處生成的吸收峰證明。電子傳遞後的血基質分子,在水中會氧化2,2'-azino-di-(3-ethylbenzthiazoline-6-sulphonic acid) (ABTS)成ABTS自由基。可由其在414 nm處生成的吸收峰證明。氧化的血基質在有機溶劑中,與guaiacol反應,會在350 nm處生成一吸收峰,但目前無法判斷產物。血基質分子修飾的二氧化鈦奈米粒子一旦和含有酸基的反應物接觸,血基質分子就會從二氧化鈦上脫落。 十個鋅二價席夫鹼錯合物受光激發後,會進行n到Pi*的躍遷,其吸收峰約在380 nm,並由單重激發態放光,其放光的位置約在460 nm。它們的放光量子產率很高,其中有些達到了0.5,生命期則約為5 ns,這都是從單重激發態放光的結果。這些錯合物在相對於標準氫電極(NHE)約1 V之處有不可逆的氧化電位。它們比席夫鹼容易氧化,差距約為200 mV。