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    合成鐵鉑-半導體(II-VI)奈米複合材料及利用陽離子交換反應形成Type-II半導體之性質鑑定
    (2010) 林玠嫺; chieh-hsien lin
    　　在本篇論文中我們合成CdS與CdSe奈米棍，且控制 FePt 奈米粒子選擇性的在半導體的末端生長，合成出CdS-FePt 、CdSe-FePt 半導體奈米棒末端接磁性粒子的奈米複合材料，並且具有光學和磁性性質。在光學部分我們利用光激發光螢光光譜儀（PL）可得知當CdS、CdSe接上FePt奈米粒子後，由於Schottky barrier的關係會使電子產生轉移且無法再結合，導致其放光強度降低。而在磁性部分我們利用超導量子干涉儀（SQUID）得知材料為超順磁性且其飽和磁化率有下降的趨勢。之後還可加入Au奈米粒子合成CdS-FePt-Au、CdSe-FePt-Au這種具有多成分的奈米異質結構。利用穿透式電子顯微鏡（TEM）、能量分散光譜儀（EDS）、粉末X-ray繞射儀（XRD）、紫外光可見光光譜儀（UV-Visible）鑑定其尺寸、結構、元素組成。 　　此外，我們還利用合成出的CdS-FePt奈米複合材料，在室溫下進行離子交換反應，利用hard-soft acid-base (HSAB) 原理，使其在形狀不變的情況下經由置換反應形成具有不同結構的type-II半導體奈米複合材料，而且藉由控制加入Cu+離子的濃度，使得奈米複合棍狀材料中Cd元素被置換的程度不同，之後我們再利用能量分散光譜儀（EDS）、粉末X-ray繞射儀（XRD）和紫外光可見光光譜儀（UV-Visible）去証實不同Cu/Cd比例的type-II CdS-Cu2S-FePt形成。