學位論文

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Subject: search.filters.subject.光偵測器

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    微共振腔鈣鈦礦量子點異質接面光偵測器元件之特性探討
    (2023) 吳文凱; Wu, Wen-Kai
    本篇最初使用化學氣象沉積法製作鈣鈦礦層，將鈣鈦礦作為增益介質，結合一個P型材料氧化鎳和一個N型材料氧化鋅製作成光偵測器，並加入金屬電極銀和布拉格反射鏡形成塔米電漿結構。由於本實驗利用化學氣象沉積法製作的鈣鈦礦層無法達成COMSOL模擬所需的厚度，因此改由熱注入法來製作，將鈣鈦礦層變成量子點的型態。 熱注入法製作出的鈣鈦礦量子點彼此間有許多的不連續的邊界，因此我們利用PMMA溶液覆蓋於鈣鈦礦層上方，不但填補了鈣鈦礦量子點裡晶粒間的空缺，也可以避免上方的氧化鋅與下方的氧化鎳接觸。量測方面利用COMSOL模擬了解該結構的低反射模態位置，並使用470 nm的LED作為光訊號來源使鈣鈦礦層產生光電流，最後比較有無布拉格反射鏡對鈣鈦礦光偵測器的影響。
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    全無機鈣鈦礦光偵測器之製作與應用
    (2021) 彭頎泰; Peng, Qi-Tai
    全無機鈣鈦礦具有優異的光吸收、高載子遷移率與優異光響應等優點，本實驗在室溫下合成CsPbBr3鈣鈦礦作為光偵測器(Photon detector, PD)之吸光層與電阻式記憶體(Resistive random access memory, RRAM)之絕緣層，並以簡易之結構Ag/PMMA/CsPbBr3/ITO作為配置，為避免陰極與陽極直接接觸，將PMMA溶液覆蓋在CsPbBr3上方，除了避免上下電極直接接觸之外，並填補CsPbBr3晶粒與晶粒間之空缺，降低晶界間的缺陷，使鈣鈦礦當作偵測器之吸收層時，增加照光後載子的收集效率，作為記憶體，可減少頂部 (Ag) 和底部 (ITO) 電極之間漏電路徑之形成。本實驗利用ITO(氧化銦錫)串聯相同結構之元件，在頂部(Ag)電極施加正偏壓時，可作為記憶體。若施加負偏壓時，作為光偵測器。通過改變偏壓與照光條件探討光偵測器產生之光電流的變化，進而達到記憶體以低電壓驅動之目的。