教師著作
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Item 奈米孔洞陣列製作技術應用於抗反射層研製(2008-11-08) 黃茂榕; 楊啟榮; 邱源成; 李榮宗矽晶片表面經過粗化處理後可降低晶片表面的反射率,以增加矽質太陽能電池的發電效率。本研究提出結合自組裝奈米球微影(self-assembed nanosphere lithography, SANL)以及光輔助電化學蝕刻 (photo-assisted electrochemical etching, PAECE)兩項技術,在矽晶片表面製作高深寬比的奈米孔洞陣列結構,用於降低矽晶片的反射效率。實驗結果顯示所完成的奈米級孔洞陣列結構,其蝕刻深度約為6.2 μm,直徑約為90 nm,即孔洞的深寬比可達約68:1。在380 nm-890 nm波長範圍內矽晶片的平均反射率為40.2 %。經過SANSL以及5分鐘的PAECE蝕刻後,平均反射效率可降低為1.73 %。本論文所提出的新型製程技術,除具有低成本優勢外,所完成的奈米級孔洞陣列結構更可實際應用於單晶矽太陽能電池之抗反射結構。Item 光輔助電化學技術應用於矽質奈米柱陣列之研製(2008-11-21) 黃茂榕; 楊啟榮; 李榮宗; 邱源成Item Silicon anisotropic etching in alkaline KOH solution with mechanical agitation and surfactant additive(2003-11-20) 楊啟榮; 陳柏穎; 鄭兆珉; 邱源成; 李榮宗Item Effects of Various Ion-Typed Surfactants on Silicon Anisotropic Etching Properties in KOH and TMAH Solutions(2004-11-26) 楊啟榮; 陳柏穎; 林明憲; 邱源成; 李榮宗Item 超音波振盪於TMAH溶液中對異方性矽蝕刻特性之影響(2003-11-15) 楊啟榮; 陳柏穎; 鄭兆珉; 邱源成; 李榮宗Item 非等向性溼式矽蝕刻攪拌效應之探討(2002-11-29) 楊啟榮; 陳柏穎; 楊智仲; 蔡其成; 鄭兆岷; 邱源成; 李榮宗Item TMAH溶液中界面活性劑對異方性單晶矽蝕刻特性之探討(2003-11-15) 楊啟榮; 陳柏穎; 楊証皓; 邱源成; 李榮宗