學位論文
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Item 氧化鋅奈米線/奈米鑽石薄膜複合結構之特性研究(2009) 何書安; Shu-An He氧化鋅(ZnO)為一寬能帶間隙半導體材料，並且擁有許多吸引人的特性，例如奈米結構多變性、室溫下有很高的發光效率和高激子束縛能、高壓電特性、無毒性可應用於光電生醫方面。在本論文中使用氧化鋅奈米線(Zinc oxide nanowires, ZnO NW)和奈米鑽石薄膜(nanocrystalline diamond thin films, ND)製作複合結構，首先利用微波電漿化學氣相沉積系統成長奈米鑽石薄膜，接著分別利用水熱法以及VLS 法成長氧化鋅奈米線於奈米鑽石薄膜上。 研究結果發現水熱法成長氧化鋅奈米線/奈米鑽石薄膜複合結構之場發射起始電場可降低至5.6 V/μm、場增強因子為1286。VLS法成長氧化鋅奈米線/奈米鑽石薄膜結構之場發射起始電場為6.5 V/μm、場增強因子為1565，與單純奈米鑽石薄膜比較，證實成長氧化鋅奈米線於奈米鑽石薄膜上之複合結構有效提升場發射特性。單純氧化鋅奈米線之電漿後處理場發射特性結果發現，分別以氬氣電漿作用1、3、5分鐘後，發現氬氣電漿處理1分鐘可降低起始電場至12.4 V/μm、提升場增強因子至526。以氫氣電漿作用1、3、5分鐘後，得到結果為氫氣電漿處理3分鐘可降低起始電場至10.6 V/μm、提升場增強因子至903。綜合VLS法成長複合結構與氫電漿處理3分鐘之試片，起始電場為6.6 V/μm、場增強因子為1951，與前述之複合結構比較後，證實綜合VLS法成長複合結構與氫電漿處理3分鐘之試片擁有較佳的場發射特性。Item 氧化鋅奈米線輔助電沉積法成長氧化鎢薄膜之電致色變性質研究(2012) 曹長安; Chang-An Tsao本研究以電沉積法製備氧化鎢電致色變層，並輔以氧化鋅奈米線，應用於電致色變元件。本實驗分五部份進行，第一部份為使用定電流法沉積氧化鎢薄膜，第二部分使用定電壓法沉積氧化鎢薄膜，第三部分探討不同沉積時間對氧化鎢薄膜的影響。第四部份將試片去做退火熱處理，觀察結晶對電致色變性質的影響。最後部份為成長氧化鋅奈米線，先以濺鍍法在基板上沉積一層摻鋁的氧化鋅薄膜作為種子層，再以水熱法成長氧化鋅奈米線。將不同條件下成長的氧化鋅奈米線以穿透式電子顯微鏡觀察其表面形貌，再量測其穿透率，其穿透率隨成長時間上升而下降，成長15分鐘的氧化鋅奈米線穿透率已下降到70%。最後在不同基板上成長氧化鋅奈米線，以電沉積法在其上方沉積氧化鎢薄膜，觀察氧化鋅奈米線與電致色變的相關性。定電壓法沉積出之薄膜較定電流厚，退火後會使電致色變效果變差。沉積在摻鋁氧化鋅奈米線上的薄膜有最佳的電致色變性質，其著色效率可達15.40 cm2/C。