學位論文
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Item 利用田口法最佳化鐵酸鉍摻雜鈮之MFIS電容器(2014) 關口育正本研究主要是在探討MFIS(金屬/鐵電/絕緣體/半導體)結構之電容器。鐵電材料為鈣鈦礦結構所產生的極化特性及極化殘留特性，而適合當作記憶體材料。近幾年來鐵酸鉍為引起關注的鐵電材料，它具有高居禮溫度(約850-860 ℃)及高尼爾溫度(約370-397 ℃)、高的極化效應的優點，但鐵酸鉍缺點為具有很大的漏電流，為了降低漏電流，利用鐵酸鉍薄膜摻雜鈮的方式來解決。 本研究的目標為利用田口法尋找在製造MFIS電容器(鋁/鐵酸鉍摻雜鈮/氧化鉿/p型矽基板)中之最佳製程參數組合。探討製程參數對於漏電流及記憶窗寬之影響。以訊雜比公式，計算電特性量測(I-V與C-V曲線)所得到的數據。此分析結果在漏電流與記憶窗寬都得到一樣的趨勢。我們得到的最佳參數組合退火溫度為700 ℃、摻雜鈮的直流濺鍍瓦數為5 W、氬氧比為15。物理特性量(XRD)分析結果，退火溫度在700 ℃時，可看鈮離子有取代鐵離子，此表示摻雜鈮會減少氧空缺。雖然摻雜鈮的濃度越多越能取代鐵離子，但鈮離子過多也會導致漏電流的增加與記憶窗寬的縮小。