科技與工程學院

Permanent URI for this communityhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/5

沿革

科技與工程學院(原名為科技學院)於87學年度成立,其目標除致力於科技與工程教育師資培育外,亦積極培育與科技產業有關之工程及管理專業人才。學院成立之初在原有之工業教育學系、工業科技教育學系、圖文傳播學系等三系下,自91學年度增設「機電科技研究所」,該所於93學年度起設立學士班並更名為「機電科技學系」。本學院於93學年度亦增設「應用電子科技研究所」,並於96學年度合併工教系電機電子組成立「應用電子科技學系」。此外,「工業科技教育學系」於98學年度更名為「科技應用與人力資源發展學系」朝向培育科技產業之人力資源專才。之後,本院為配合本校轉型之規劃,增加學生於科技與工程產業職場的競爭,本院之「機電科技學系」與「應用電子科技學系」逐漸朝工程技術發展,兩系並於103學年度起分別更名為「機電工程學系」及「電機工程學系」。同年,本學院名稱亦由原「科技學院」更名為「科技與工程學院」。至此,本院發展之重點涵蓋教育(技職教育/科技教育/工程教育)、科技及工程等三大領域,並定位為以技術為本位之應用型學院。

107學年度,為配合本校轉型規劃,「光電科技研究所」由原隸屬於理學院改為隸屬本(科技與工程)學院,另增設2學程,分別為「車輛與能源工程學士學位學程」及「光電工程學士學位學程」。

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    整合式多功無機鈣鈦礦發光電化學元件與電阻式記憶體製作與應用
    (2020) 劉康翔; Liu, Kang-Hsiang
    全無機鈣鈦礦材料因其卓越的功能性和穩定性而被認為是各種電子應用的優異半導體材料。本論文使用全無機鈣鈦礦量子點 (CsPbBr3) 並選用四層簡易的結構 (Ag/Poly(methyl methacrylate) /CsPbBr3/indium tin oxide) 來達到同時具備發光電化學元件 (Light-emitting electrochemical cell, LEC) 元件發光特性與電阻式記憶體 (Resistive random access memory, RRAM) 記憶特性的新元件。當 Ag 電極上施加負偏壓時,會以 LEC 發光特性作用;若在 Ag 電極上施加正偏壓時,則會以 RRAM 電阻轉換特性作用。 接著對此元件以氧化銦錫做兩個串連,整合出兩個視為一組的新元件,當施加正偏壓時,一側做記憶體寫入另一側做二極體發光;若施加負偏壓時,兩個元件作交換原本做記憶體寫入的元件轉成二極體發光,二極體發光轉成記憶體寫入,來達到比原本傳統電阻式記憶體以電流判讀多一種發光特性去判讀記憶體的方式。最後分析串連後元件的傳導機制與能階示意圖。