科技與工程學院

Permanent URI for this communityhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/5

沿革

科技與工程學院(原名為科技學院)於87學年度成立,其目標除致力於科技與工程教育師資培育外,亦積極培育與科技產業有關之工程及管理專業人才。學院成立之初在原有之工業教育學系、工業科技教育學系、圖文傳播學系等三系下,自91學年度增設「機電科技研究所」,該所於93學年度起設立學士班並更名為「機電科技學系」。本學院於93學年度亦增設「應用電子科技研究所」,並於96學年度合併工教系電機電子組成立「應用電子科技學系」。此外,「工業科技教育學系」於98學年度更名為「科技應用與人力資源發展學系」朝向培育科技產業之人力資源專才。之後,本院為配合本校轉型之規劃,增加學生於科技與工程產業職場的競爭,本院之「機電科技學系」與「應用電子科技學系」逐漸朝工程技術發展,兩系並於103學年度起分別更名為「機電工程學系」及「電機工程學系」。同年,本學院名稱亦由原「科技學院」更名為「科技與工程學院」。至此,本院發展之重點涵蓋教育(技職教育/科技教育/工程教育)、科技及工程等三大領域,並定位為以技術為本位之應用型學院。

107學年度,為配合本校轉型規劃,「光電科技研究所」由原隸屬於理學院改為隸屬本(科技與工程)學院,另增設2學程,分別為「車輛與能源工程學士學位學程」及「光電工程學士學位學程」。

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    鐵電電容式記憶體增強開關比之技術
    (2024) 陳家弘; Chen, Jia-Hong
    鐵電記憶體(Ferroelectric Memory)是一種基於鐵電材料特性的非揮發性記憶體技術。鐵電材料具有自發極化的特性,即在沒有外加電場的情況下,材料內部會形成電偶極,並且這種極化可以被外加電場反轉,當施加一個電場時,鐵電材料內部的電偶極會隨電場方向翻轉,形成兩種穩定狀態,分別代表二進制的「1」和「0」,這種特性使得鐵電材料成為儲存訊號的理想材料。而鐵電電容式記憶體(Ferroelectric Capacitive Memory,FCM)包含在其中。此次研究首次展示具有SOI(Silicon-On-Insulator)基板和雙層HfZrO2(Double HZO,DHZO)的鐵電電容式記憶體其電容的開關比(Capacitive on/off Ratio,CHCS/CLCS)超過500倍。這一比率是FCM中的關鍵參數,表示記憶體可靠的儲存和檢索數據的能力。由於SOI在垂直方向上的空間限制,使得調控的空乏區域能夠在橫向方向上擴張以減少CLCS;此外,由於DHZO中高正交相(orthorhombic phase,o-phase)的比例,進一步增強CHCS,實現基於低電壓的飽和電容。對於DHZO-SOI FCM,實驗展示卓越的非破壞性讀取操作(Nondestructive Read Operation,NDRO),元件和讀取方案的操作週期均大於109次,並且在多階操作的4種狀態相比單層HfZrO2(Single HZO,SHZO)-SOI顯示錯誤率(Error Rates,ER)的改善。此技術包括DHZO和SOI的FCM是一個有前途的概念,具有潛在的非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory,NVM)應用。