科技與工程學院

Permanent URI for this communityhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/5

沿革

科技與工程學院(原名為科技學院)於87學年度成立,其目標除致力於科技與工程教育師資培育外,亦積極培育與科技產業有關之工程及管理專業人才。學院成立之初在原有之工業教育學系、工業科技教育學系、圖文傳播學系等三系下,自91學年度增設「機電科技研究所」,該所於93學年度起設立學士班並更名為「機電科技學系」。本學院於93學年度亦增設「應用電子科技研究所」,並於96學年度合併工教系電機電子組成立「應用電子科技學系」。此外,「工業科技教育學系」於98學年度更名為「科技應用與人力資源發展學系」朝向培育科技產業之人力資源專才。之後,本院為配合本校轉型之規劃,增加學生於科技與工程產業職場的競爭,本院之「機電科技學系」與「應用電子科技學系」逐漸朝工程技術發展,兩系並於103學年度起分別更名為「機電工程學系」及「電機工程學系」。同年,本學院名稱亦由原「科技學院」更名為「科技與工程學院」。至此,本院發展之重點涵蓋教育(技職教育/科技教育/工程教育)、科技及工程等三大領域,並定位為以技術為本位之應用型學院。

107學年度,為配合本校轉型規劃,「光電科技研究所」由原隸屬於理學院改為隸屬本(科技與工程)學院,另增設2學程,分別為「車輛與能源工程學士學位學程」及「光電工程學士學位學程」。

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    C頻帶互補式金屬氧化物半導體功率放大器與線性化技術研究
    (2017) 鄭怡建; Cheng, Yi-Chien
    第一顆電路為使用變壓器功率合成技術之C頻段功率放大器,以變壓器功率合成技術完成放大器功率結合,並藉由阻抗轉換特性達成輸出與輸入之阻抗匹配。當操作頻率為5.3 GHz且VG1為0.85 V時,功率增益約16.48 dB,飽和輸出功率(Psat)約為27.69 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)約為22.53 dBm,最大功率附加效率(PAE)約為28.34 %。整體晶片佈局面積為1.17 mm × 0.655 mm。 第二顆電路為具內建線性器之C頻段功率放大器,線性器架構採用共閘極串級二極體組態。當操作頻率為5.3 GHz,且VG1為1 V線性器開啟時,功率增益約14.25 dB,飽和輸出功率(Psat)約為27.06 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)從22.48 dBm提升至26.24 dBm,最大功率附加效率(PAE)約為23.94 %,三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為18 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右。整體晶片佈局面積為1.14 mm × 0.64 mm。 第三顆電路為具內建線性器之C頻段功率放大器,線性器架構採用疊階組態。當操作頻率為5.3 GHz ,且VG1為0.85 V線性器開啟時,功率增益約11.98 dB,飽和輸出功率(Psat)約為26.84 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)從 22.69 dBm提升至24.7 dBm,最大功率附加效率(PAE)約為22.22 %,而三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為18.5 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右。整體晶片佈局面積為1.14 mm × 0.64 mm。 第四顆電路為具內建線性器之C頻段功率放大器,線性器架構採用共閘極串級電阻組態。當操作頻率為5.3 GHz ,且VG1為0.85 V線性器開啟時,功率增益約13.1 dB,飽和輸出功率(Psat)約為26.94 dBm,1-dB增益壓縮點之輸出功率(OP1dB)從20.95 dBm提升至23.81 dBm,最大功率附加效率(PAE)約為25.05 %,而三階交互調變失真IMD3在輸出功率約為18.5 dBm以前皆可抑制在-40 dBc左右。整體晶片佈局面積為1.14 mm × 0.64 mm。