科技與工程學院

Permanent URI for this communityhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/5

沿革

科技與工程學院(原名為科技學院)於87學年度成立,其目標除致力於科技與工程教育師資培育外,亦積極培育與科技產業有關之工程及管理專業人才。學院成立之初在原有之工業教育學系、工業科技教育學系、圖文傳播學系等三系下,自91學年度增設「機電科技研究所」,該所於93學年度起設立學士班並更名為「機電科技學系」。本學院於93學年度亦增設「應用電子科技研究所」,並於96學年度合併工教系電機電子組成立「應用電子科技學系」。此外,「工業科技教育學系」於98學年度更名為「科技應用與人力資源發展學系」朝向培育科技產業之人力資源專才。之後,本院為配合本校轉型之規劃,增加學生於科技與工程產業職場的競爭,本院之「機電科技學系」與「應用電子科技學系」逐漸朝工程技術發展,兩系並於103學年度起分別更名為「機電工程學系」及「電機工程學系」。同年,本學院名稱亦由原「科技學院」更名為「科技與工程學院」。至此,本院發展之重點涵蓋教育(技職教育/科技教育/工程教育)、科技及工程等三大領域,並定位為以技術為本位之應用型學院。

107學年度,為配合本校轉型規劃,「光電科技研究所」由原隸屬於理學院改為隸屬本(科技與工程)學院,另增設2學程,分別為「車輛與能源工程學士學位學程」及「光電工程學士學位學程」。

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    鐵電電容式記憶體特性及研究
    (2023) 曾涵楨; Tseng, Han-Chen
    鐵電材料是一種具有雙穩態特性的材料,在電場的作用下能夠產生持久的極化狀態,也能夠在無外部電場的情況下保持所極化的狀態,並即在不同的極化狀態之間切換。這種特性使得鐵電材料成為理想的記憶體元件,可以實現高密度、非揮發性的數據存儲,使其廣泛應用於記憶體中。本研究選擇摻雜不同鋯濃度的氧化鉿鋯(Hf1-xZrxO2, HZO)作為鐵電材料,並對其特性進行了深入研究和應用。鐵電電容式記憶體(Ferroelectric Capacitive Memory, FCM)主要分為累積式FCM和反轉式FCM,同時都有低功耗、快速的寫入速度、長時間保持性和耐久度等優點,並應用於類神經運算。通過TCAD模擬的結果,觀察到反轉型FCM施加負偏壓時,n+摻雜區產生帶對帶穿隧效應。製作不同鐵電層濃度和結構的FCM元件,結果顯示MPB( Morphotropic Phase Boundary) SL(superlattice)-HZO具有較高的開關比,並且在保持度和耐久度量測中表現出更優異的性能,具有對稱性| αp - αd | = 0.03 ~ 0.35的深度學習操作,展現成為類神經突觸元件的能力。