科技與工程學院

Permanent URI for this communityhttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/5

沿革

科技與工程學院(原名為科技學院)於87學年度成立,其目標除致力於科技與工程教育師資培育外,亦積極培育與科技產業有關之工程及管理專業人才。學院成立之初在原有之工業教育學系、工業科技教育學系、圖文傳播學系等三系下,自91學年度增設「機電科技研究所」,該所於93學年度起設立學士班並更名為「機電科技學系」。本學院於93學年度亦增設「應用電子科技研究所」,並於96學年度合併工教系電機電子組成立「應用電子科技學系」。此外,「工業科技教育學系」於98學年度更名為「科技應用與人力資源發展學系」朝向培育科技產業之人力資源專才。之後,本院為配合本校轉型之規劃,增加學生於科技與工程產業職場的競爭,本院之「機電科技學系」與「應用電子科技學系」逐漸朝工程技術發展,兩系並於103學年度起分別更名為「機電工程學系」及「電機工程學系」。同年,本學院名稱亦由原「科技學院」更名為「科技與工程學院」。至此,本院發展之重點涵蓋教育(技職教育/科技教育/工程教育)、科技及工程等三大領域,並定位為以技術為本位之應用型學院。

107學年度,為配合本校轉型規劃,「光電科技研究所」由原隸屬於理學院改為隸屬本(科技與工程)學院,另增設2學程,分別為「車輛與能源工程學士學位學程」及「光電工程學士學位學程」。

News

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Item
    雙爐管式氣液固相變化機製成長氧化鋅奈米線及其氣體感測特性之研究
    (2010) 吳釗宇; Chao-Yu Wu
    本研究主要是使用double-tube的方式藉由VLS (Vapor-Liquid-Solid)技術,不需要利用金(Au)觸媒做為催化劑或模板,直接將氧化鋅( Zinc Oxide )奈米線( nanowires )成功的生成於玻璃基板上。結果顯示,工作溫度900◦C,可成功的控制氧化鋅奈米結構成長。此外,改變氧氣流量會對成長氧化鋅奈米線之緻密性與長度有影響,經XRD分析發現,氧化鋅奈米線隨通入氧氣增加繞射峰值也越強,並且呈現(002)為優選成長方向。 以SEM表面組織型態來觀察,當通入8 sccm之氧氣流量的條件下,Al/glass 基板上成長出高深寬比氧化鋅奈米線,奈米線結構緻密性也有提升。在8 sccm之氧化鋅奈米線試片,對於I-V量測也有明顯的電傳導特性,而氣體感測結果發現,奈米線結構對NO2氣體比CO氣體有較佳的感測特性,其響應時間與回復時間都較短,對長期的再現性與穩定性之維持良好。在感測環境工作溫度175◦C,偵測NO2 濃度20 ppm、60 ppm、100 ppm所得最佳感測靈敏度分別為23、33、41。
  • Item
    ZnO薄膜之電性與光學係數受外加紫外光之調制特性研究
    (2007) 陳顗彭; Chen,Yi-Pong
    摘要 氧化鋅(zinc oxide,ZnO)其光學能帶(Optical energy band)寬度約為3.37eV,其正好位於紫外光波長範圍內,若利用紫外光照射氧化鋅薄膜將造成價電帶電子吸收紫外光能量後躍遷至導電帶,因而增加其導電性,但也因價帶電子變少後而造成介電係數(dielectriccoefficient)變小,且在移除紫外光照射後隨即回覆其原來狀態,我們利用此特性來探討氧化鋅薄膜在外加不同強度紫外光下其電性與光學特性的變化。 光學量測上首先利用共路徑外差式干涉儀(common path heterodyne interferometer)來量測氧化鋅薄膜的折射率與介電係數,其中共路徑技術用於抑制相位飄移,以使干涉儀穩定,而外差干涉技術則是利用聲光調變器(acoustic optical modulator,AOM)將訊號載在特殊頻率上,透過鎖相放大器(lock-in amplify)針對此特殊頻率進行解析,以排除環境雜訊,使得共路徑外差干涉儀成文一套高穩定高準確性的量測系統。 在電性量測上,由於未掺雜的純氧化鋅薄膜電阻率很高,不易直接量測,因此制備成ZnO-base薄膜電晶體,形成透過閘極電極降低薄膜電阻,來簡化量測所需,以探討氧化鋅薄膜受紫外光影響的導電特性,其結果與光學量測系統所測得折射率與介電係數的結果驗證。
  • Item
    氧化鋅/硫化鋅核殼奈米結構之製備與特性分析
    (2013) 黃薇
    本論文使用微波輔助合成技術製備硫化鋅奈米球體、氧化鋅奈米柱與具陣列形貌的氧化鋅/硫化鋅核殼結構。我們先使用硫代乙醯胺分別與硫酸鋅和硝酸鋅作為前驅物,合成出硫化鋅奈米球體。再使用六亞甲基四胺個別與硫酸鋅和硝酸鋅反應,能分別合成出氧化鋅奈米柱與片狀結構。最後,我們先在矽基板上成長氧化鋅奈米柱陣列,再與硫代乙醯胺進行反應,成功製備出氧化鋅/硫化鋅核殼結構。我們進一步使用X光繞射光譜、掃描式電子顯微鏡與光激螢光光譜等實驗討論所製備氧化鋅/硫化鋅核殼結構的結構與光學特性。 由X光繞射光譜可以發現氧化鋅/硫化鋅核殼結構會清楚呈現出屬於氧化鋅(002)的繞射訊號,隨著增加硫代乙醯胺的莫耳濃度,屬於硫化鋅(111)繞射峰訊號強度也會逐漸增加。由掃描式電子顯微鏡的結果,可以發現氧化鋅奈米柱核體會隨著硫代乙醯胺的莫耳濃度增加而變細且變短,而硫化鋅殼體的顆粒則會逐漸變大。由低溫光激螢光光譜圖中,可以觀察到氧化鋅/硫化鋅核殼結構的發光位置約為3.33 eV,是屬於氧化鋅的近帶能隙的放光機制。 關鍵詞:微波輔助合成、硫化鋅、氧化鋅、核殼結構