科技與工程學院

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沿革

科技與工程學院(原名為科技學院)於87學年度成立,其目標除致力於科技與工程教育師資培育外,亦積極培育與科技產業有關之工程及管理專業人才。學院成立之初在原有之工業教育學系、工業科技教育學系、圖文傳播學系等三系下,自91學年度增設「機電科技研究所」,該所於93學年度起設立學士班並更名為「機電科技學系」。本學院於93學年度亦增設「應用電子科技研究所」,並於96學年度合併工教系電機電子組成立「應用電子科技學系」。此外,「工業科技教育學系」於98學年度更名為「科技應用與人力資源發展學系」朝向培育科技產業之人力資源專才。之後,本院為配合本校轉型之規劃,增加學生於科技與工程產業職場的競爭,本院之「機電科技學系」與「應用電子科技學系」逐漸朝工程技術發展,兩系並於103學年度起分別更名為「機電工程學系」及「電機工程學系」。同年,本學院名稱亦由原「科技學院」更名為「科技與工程學院」。至此,本院發展之重點涵蓋教育(技職教育/科技教育/工程教育)、科技及工程等三大領域,並定位為以技術為本位之應用型學院。

107學年度,為配合本校轉型規劃,「光電科技研究所」由原隸屬於理學院改為隸屬本(科技與工程)學院,另增設2學程,分別為「車輛與能源工程學士學位學程」及「光電工程學士學位學程」。

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    以原子層沉積(ALD)製備不同比例及堆疊方式之氧化鉿鋯(HfZrO2)薄膜分析
    (2022) 陳俊甫; CHEN, CHUN-FU
    隨著科技不斷演進,人們對於各種產品功能需求和要求都越來越高,由於SiO2的漏電流和可靠性問題已經接近其物理極限。為了解決這些問題,本研究則採用其中精度最高的薄膜沈積方式,有就是原子層沈積法(Atomic Layer Deposition,ALD) 作為本次的研究主要的製程,並透過不同製程參數以及堆疊方式探討其中的漏電流、活化能、普爾-法蘭克定律。我們運用ALD製程來製作不同沈積比例的HfZrO2薄膜,其主要ALD原子層沈積技術,實驗方式分別為,2循環、4循環、6循環,製備Hf:Zr 1:3、1:1、3:1共96循環的三種比例HZO薄膜,並用濺鍍的方式,沈積Al閘極,厚度為200奈米。使用RTA退火600℃ 持續30秒,我們會藉由改變試片的工作溫度來量測漏電流,並探討不同比例的ALD沈積方式對於電流傳導機制之影響。本研究利用 Al/HfO2/p-Si MIS結構給一定電壓使元件產生漏電流反應的量測方式,取得其電流與電壓之關係,而後利用在不同溫度條件下,根據阿瑞尼斯方程式,經自然對數轉換後,取Ln(J)對溫度倒數(1/T)做圖,取其斜率萃取出活化能 Ea 值,並去分析比較循環數對於活化能 Ea值的影響。關鍵字:薄膜、熱活化能、氧化鉿鋯、氧化層、傳導機制