科技與工程學院

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沿革

科技與工程學院(原名為科技學院)於87學年度成立,其目標除致力於科技與工程教育師資培育外,亦積極培育與科技產業有關之工程及管理專業人才。學院成立之初在原有之工業教育學系、工業科技教育學系、圖文傳播學系等三系下,自91學年度增設「機電科技研究所」,該所於93學年度起設立學士班並更名為「機電科技學系」。本學院於93學年度亦增設「應用電子科技研究所」,並於96學年度合併工教系電機電子組成立「應用電子科技學系」。此外,「工業科技教育學系」於98學年度更名為「科技應用與人力資源發展學系」朝向培育科技產業之人力資源專才。之後,本院為配合本校轉型之規劃,增加學生於科技與工程產業職場的競爭,本院之「機電科技學系」與「應用電子科技學系」逐漸朝工程技術發展,兩系並於103學年度起分別更名為「機電工程學系」及「電機工程學系」。同年,本學院名稱亦由原「科技學院」更名為「科技與工程學院」。至此,本院發展之重點涵蓋教育(技職教育/科技教育/工程教育)、科技及工程等三大領域,並定位為以技術為本位之應用型學院。

107學年度,為配合本校轉型規劃,「光電科技研究所」由原隸屬於理學院改為隸屬本(科技與工程)學院,另增設2學程,分別為「車輛與能源工程學士學位學程」及「光電工程學士學位學程」。

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    奈米記錄點的動態寫入與量測研究
    (2008) 陳億昇; Yi Sheng Chen
    在本論文中,使用動態測試儀 (Dynamic Optical Disk Tester) 量測以ZnS-SiO2包夾初鍍態Ge2Sb2Te5相變化材料光碟之載子訊雜比 (Carrier-to-Noise Ratio,CNR),可以量測到光學解析極限以下記錄點之載子訊雜比。研究為何無光學非線性作用層之碟片仍可解析光學解析極限以下記錄點,使用動態測試儀在平坦碟片上寫下光學解析極限以下尺寸之記錄點,再以原子力顯微儀 (Atomic Force Microscope,AFM ) 掃描其表面形貌發現寫下一週期性結構,其週期為記錄點兩倍。使用動態測試儀讀取記錄點時,是讀取光強度隨時間變化的連續過程,所以當動態測試儀讀取此週期性結構時便可量測到對應之載子訊雜比,同時我們也研究此週期性結構之形成原因。
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    氧化鋅奈米光碟片的製作與量測研究
    (2007) 羅智鴻; Chih Hung Lo
    在本論文中,首先以光碟測試機量測不同厚度與不同氬氧比例的氧化鋅(ZnOx)近場超解析結構光碟片的載子雜訊比(CNR ,Carrier to Noise Ratio),在光學的解析極限下,可以量測寫入長度100nm的記錄點,其載子雜訊比可達到27.97 dB。為了更進一步了解氧化鋅奈米膜層結構中光與膜層的交互作用,我們分層去做探討,利用光譜顯微儀與掃描式電子顯微鏡(SEM)與原子力顯微鏡(AFM)來觀察氧化鋅奈米薄膜的變化。也利用靜態測試儀(pump-probe laser system)量測在不同時間下雷射功率在氧化鋅奈米膜層上所造成的影響,並比較獲得的CCD影像與穿透式電子顯微鏡(TEM)圖。
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    超高容量氧化鋅近場光碟片之動態測試及分析
    (2007) 張祖欣
    在本論文中,我們將針對當記錄點小於繞射極限時可複寫型DVD(DVD+RW)氧化鋅近場光碟片之載子雜訊比(Carrier to Noise Ratio, CNR)做分析,並且從中看出加上氧化鋅近場光學作用層後對小於繞射極限之記錄點的明顯解析能力,同時將研究其和一般市售光碟測試機的相容能力,最後再探討在不同間隔層(spacing layer)厚度下氧化鋅近場光碟片的行為表現,並進一步找出當記錄點大小為100nm時最佳寫入功率為23mW、最佳讀取功率為4mW及最佳間隔層厚度為60nm。