科技與工程學院

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沿革

科技與工程學院(原名為科技學院)於87學年度成立,其目標除致力於科技與工程教育師資培育外,亦積極培育與科技產業有關之工程及管理專業人才。學院成立之初在原有之工業教育學系、工業科技教育學系、圖文傳播學系等三系下,自91學年度增設「機電科技研究所」,該所於93學年度起設立學士班並更名為「機電科技學系」。本學院於93學年度亦增設「應用電子科技研究所」,並於96學年度合併工教系電機電子組成立「應用電子科技學系」。此外,「工業科技教育學系」於98學年度更名為「科技應用與人力資源發展學系」朝向培育科技產業之人力資源專才。之後,本院為配合本校轉型之規劃,增加學生於科技與工程產業職場的競爭,本院之「機電科技學系」與「應用電子科技學系」逐漸朝工程技術發展,兩系並於103學年度起分別更名為「機電工程學系」及「電機工程學系」。同年,本學院名稱亦由原「科技學院」更名為「科技與工程學院」。至此,本院發展之重點涵蓋教育(技職教育/科技教育/工程教育)、科技及工程等三大領域,並定位為以技術為本位之應用型學院。

107學年度,為配合本校轉型規劃,「光電科技研究所」由原隸屬於理學院改為隸屬本(科技與工程)學院,另增設2學程,分別為「車輛與能源工程學士學位學程」及「光電工程學士學位學程」。

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    鐵電負電容效應之奈米片環繞式電晶體
    (2018) 古翔升; Gu, Siang-Sheng
    鰭式電晶體廣泛應用在許多3C產品中,例如:手機iPhoneA9處理器、電腦IC晶片……等,而在未來製程節點中,改善次臨界擺幅SS(Subthreshold Swing)降低元件之操作電壓與功率極為重要,本論文藉由導入HfZrO2鐵電材料當作電晶體的介電層,應用鐵電材料之負電容效應改善次臨界擺幅(SS)。 近期IBM團隊提出奈米片結構電晶體(Nanosheet FET),有別於鰭式電晶體,奈米片電晶體是參考Gate-All-Around(GAA)電晶體結構, Si通道設計成水平的結構,可有效解決鰭式電晶體鰭高的製程瓶頸,並廣泛應用在各大領域中,例如:人工智慧(AI)、虛擬實境(VR)……等,本論文是以鐵電材料HfZrO2作為介電層,應用於奈米片電晶體中,達到俱有鐵電負電容效應之奈米片電晶體,其中黃光製程部分皆使用I-line步進機,可以提高生產效率。
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    HIPIMS鍍製HfO2氧化層之MIM電容的鐵電量測
    (2016) 石登元; Shih, Teng-Yuan
    鐵電材料是目前熱門的研究目標之一,現今科技的發展使得我們對於電子元件的尺寸追求越來越小。然而傳統鐵電材料所鍍製的薄膜厚度大約幾百奈米,薄膜的漏電也非常大,從而影響鐵電材料在記憶體上的應用。所以科學家們開始尋找新型的鐵電材料,並且發現HfO2和ZrO2等材料,有機會取代傳統鐵電材料。其中HfO2更是許多科學家所看好的新型鐵電材料選擇,並嘗試使用不同的鍍製方式來探討HfO2薄膜所能展現出的鐵電特性。 在本研究中,我們將利用高功率脈衝磁控濺鍍 (High Power Impulse Magnetron Sputtering, HIPIMS)來製備HfO2鐵電層。試片的基本結構上為,在P-type矽基板上使用DC sputter鍍製下電極的Mo,再來是鐵電層HfO¬2,最後則是上電極的Al。實驗總共會有三組Sample的變化。Sample 1為在HfO2層中摻雜Zr形成HfO2:Zr薄膜。Sample 2則是在HfO2層上鍍製一層Zr層。Sample 3是在HfO2的上下方分別鍍製TiN層以及ZrN層兩種結構變化。試片完成後,做鐵電性的量測,並配合物性測量作分析。最後,本研究在三組Sample中皆有發現極化現象。在Sample 1中得知HIPIMS鍍製時,氧氣通量在10 sccm表現最佳,並且RTA在850℃時無鐵電性表現。在Sample 2中得知Zr摻雜在HfO2的量不是越多越好,在TEM中看出HIPIMS鍍製時Hf對Mo層造成損害的情況,這情況在Sample 3的結構中能有效的改善。而Sample 3試片的鐵電性在三組中是表現最好的,TiN與ZrN在RTA溫度上的趨勢表現相反,推測是因為兩者在應力結構上表現不同。 關鍵字: 高功率脈衝磁控濺鍍、鐵電材料、二氧化铪