化學系

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國立臺灣師範大學化學系座落於公館校區理學院大樓。本系成立於民國五十一年,最初僅設大學部。之後於民國六十三年、七十八年陸續成立化學研究所碩士班和博士班。本系教育目標旨在培養化學專業人才與中等學校自然及化學專業師資,授課著重理論及應用性。本系所現有師資為專任教授25人,另外尚有與中央研究院合聘教授3位,在分析、有機、無機及物理化學四個學門的基礎上發展跨領域之教學研究合作計畫。此外,本系另有助教13位,職技員工1位,協助處理一般學生實驗及行政事務。學生方面,大學部現實際共322人,碩士班現實際就學研究生共174人,博士班現實際就學共55人。

本系一向秉持著教學與研究並重,近年來為配合許多研究計畫的需求,研究設備亦不斷的更新。本系所的研究計畫大部分來自國科會的經費補助。此外,本系提供研究生獎助學金,研究生可支領助教獎學金(TA)、研究獎學金(RA)和部分的個別教授所提供的博士班學生獎學金(fellowships)。成績優良的大學部學生也可以申請獎學金。

本校圖書館藏書豐富,除了本部圖書館外,分部理學院圖書館西文藏書現有13萬餘冊,西文期刊合訂本有911餘種期刊,將近約3萬冊。此外,西文現期期刊約450種,涵蓋化學、生化、生物科技、材料及其他科學類等領域。目前本系各研究室連接校園網路,將館藏查詢、圖書流通、期刊目錄轉載等功能,納入圖書館資訊系統中,並提供多種光碟資料庫之檢索及線上資料庫如Science Citation Index,Chemical Citation Index,Chemical Abstracts,Beilstein,MDL資料庫與STICNET全國科技資訊網路之查詢。

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    一維奈米材料的成長、分析與功能化(2/3)
    (2004-09-08) 陳貴賢; 陳家俊; 王崇人; 林麗瓊; 吳季珍; 彭維鋒; 馬廣仁; 陳啟東; 呂宗昕; 莊敏宏; 陳俊維
    本計畫一年來 陳家俊 、林麗瓊、吳季珍、王崇人分別在Sb/sub 2/S/sub 3/、InN、GaN、ZnO、TiO/sub 2/、Ga/sub 2/O/sub 3/、Au等一維奈米材料的製備與特殊功能研究上有具體進展,除了有效製備各種奈米管、奈米線之外,我們更進一步研究其功能性的應用,以及特殊設計模式成長成為可行,有效促進下游的功能性應用研究。在光電特性分析上,彭維鋒利用同步輻射中心的X光吸收光譜(XANES)結合林麗瓊的電子束螢光光譜儀(Cathodoluminescence; CL),以及可以對奈米大小尺寸的材料的電子結構,形貌、成分、螢光特性做有效分析。同時,UV Micro-Raman/PL系統在加裝325-nm光源之後,可以在有效再低溫下測量寬能距材料螢光與拉曼光譜,對本計畫光電特性的研究有極大幫助。在功能性應用方面,王崇人將研發出來的金奈米柱的表面電漿波應用於生物分子檢測,並且發展出光奈米光熱轉換的方法,可應用於生物晶片檢測及醫療聲波顯像上。陳啟東利用e-beam writer連結CNT並測其電性,在MWCNT上看到Columb oscillation。同時,呂宗昕與莊敏宏分別將CNT應用在鋰電池電極與場發射方面的研究,初步測 量顯示鋰電池充電量遠出過當前的文獻報告。呂宗昕也發展奈米結構鋰電池陽極材料,這配合奈米碳管鋰電池應用將有極大潛力。
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    Sharp Infrared Emission from Single-Crystalline Indium Nitride Nanobelts Prepared Using Guided-Stream Thermal Chemical Vapor Deposition
    (Wiley-VCH Verlag, 2006-03-01) M.-S. Hu; W.-M. Wang; T.-T. Chen; L.-S. Hong; C.-W. Chen; Chia-Chun Chen; Y.-F. Chen; K.-H. Chen; L.-C. Chen
    Single-crystalline InN nanobelts have been synthesized using Au as the catalyst by a guided-stream thermal chemical vapor deposition technique. The resultant InN nanobelts typically have widths ranging from 20 to 200 nm, a width to thickness ratio of 2–10, and lengths of up to several tens of micrometers. Structural analysis shows that these InN nanobelts have a wurtzite structure and exhibit a rectangular cross section with self-selective facets, i.e., the nanobelts are enclosed only by ± (001) and ± (11?0) planes with [110] being the exclusive growth direction along their long axis. This facet selectivity can be understood by the differences in the surface energies of the different facets. Photoluminescence (PL) spectra of InN nanobelts show a sharp infrared emission peak at 0.76 eV with a full width at half maximum of 14 meV, narrower than the values reported for InN epilayers. The integrated PL intensity is found to increase linearly with the excitation power, which suggests that the observed PL can be attributed to direct band-to-band emission.