化學系

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國立臺灣師範大學化學系座落於公館校區理學院大樓。本系成立於民國五十一年,最初僅設大學部。之後於民國六十三年、七十八年陸續成立化學研究所碩士班和博士班。本系教育目標旨在培養化學專業人才與中等學校自然及化學專業師資,授課著重理論及應用性。本系所現有師資為專任教授25人,另外尚有與中央研究院合聘教授3位,在分析、有機、無機及物理化學四個學門的基礎上發展跨領域之教學研究合作計畫。此外,本系另有助教13位,職技員工1位,協助處理一般學生實驗及行政事務。學生方面,大學部現實際共322人,碩士班現實際就學研究生共174人,博士班現實際就學共55人。

本系一向秉持著教學與研究並重,近年來為配合許多研究計畫的需求,研究設備亦不斷的更新。本系所的研究計畫大部分來自國科會的經費補助。此外,本系提供研究生獎助學金,研究生可支領助教獎學金(TA)、研究獎學金(RA)和部分的個別教授所提供的博士班學生獎學金(fellowships)。成績優良的大學部學生也可以申請獎學金。

本校圖書館藏書豐富,除了本部圖書館外,分部理學院圖書館西文藏書現有13萬餘冊,西文期刊合訂本有911餘種期刊,將近約3萬冊。此外,西文現期期刊約450種,涵蓋化學、生化、生物科技、材料及其他科學類等領域。目前本系各研究室連接校園網路,將館藏查詢、圖書流通、期刊目錄轉載等功能,納入圖書館資訊系統中,並提供多種光碟資料庫之檢索及線上資料庫如Science Citation Index,Chemical Citation Index,Chemical Abstracts,Beilstein,MDL資料庫與STICNET全國科技資訊網路之查詢。

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    二維中孔硒化鎘半導體材料合成、結構解析與應用
    (2020) 李尉賑; Lee, Wei-Chen
    本研究成功製備具中孔洞性的有機無機混合材料,用於光催化水分解及染料降解。此材料為二維單層奈米片其組成為CdSe(en)0.5 (en: H2NCH2CH2NH2),藉由硫化鈉 (0.1M-0.3 M) 在暗處與照光下進行結構中Se, N取代反應,發生科肯德爾效應 (Kirkendall effect) 以達化學修飾法之目的,並產生2-8 nm之中孔洞。此高表面積 (30-60 m2/g) 之中孔洞材料,可有效進行水分解產氫 (HER) 及染料降解等光催化反應,發現硫取代比例影響其催化活性,並以元素分析 (EA, ICP-OES)、電子顯微鏡、X光吸收與繞射技術 (XAS, XRD) 進行奈米材料結構及性質分析,探討其催化活性增強之因素。 另一方面藉由路易斯酸 (氯化鐵、氯化銦) 進行CdSe(en)0.5改質,透過路易斯酸與CdSe(en)0.5中en的胺基配位,使材料結晶結構由Pbca空間群轉變為纖鋅礦結構,形成多層二維無機材料,並透過元素分析、電子顯微鏡、X光吸收與繞射技術 (XAS, XRD) 進行材料結構轉變解析
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    合成鐵鉑-半導體(II-VI)奈米複合材料及利用陽離子交換反應形成Type-II半導體之性質鑑定
    (2010) 林玠嫺; chieh-hsien lin
      在本篇論文中我們合成CdS與CdSe奈米棍,且控制 FePt 奈米粒子選擇性的在半導體的末端生長,合成出CdS-FePt 、CdSe-FePt 半導體奈米棒末端接磁性粒子的奈米複合材料,並且具有光學和磁性性質。在光學部分我們利用光激發光螢光光譜儀(PL)可得知當CdS、CdSe接上FePt奈米粒子後,由於Schottky barrier的關係會使電子產生轉移且無法再結合,導致其放光強度降低。而在磁性部分我們利用超導量子干涉儀(SQUID)得知材料為超順磁性且其飽和磁化率有下降的趨勢。之後還可加入Au奈米粒子合成CdS-FePt-Au、CdSe-FePt-Au這種具有多成分的奈米異質結構。利用穿透式電子顯微鏡(TEM)、能量分散光譜儀(EDS)、粉末X-ray繞射儀(XRD)、紫外光可見光光譜儀(UV-Visible)鑑定其尺寸、結構、元素組成。   此外,我們還利用合成出的CdS-FePt奈米複合材料,在室溫下進行離子交換反應,利用hard-soft acid-base (HSAB) 原理,使其在形狀不變的情況下經由置換反應形成具有不同結構的type-II半導體奈米複合材料,而且藉由控制加入Cu+離子的濃度,使得奈米複合棍狀材料中Cd元素被置換的程度不同,之後我們再利用能量分散光譜儀(EDS)、粉末X-ray繞射儀(XRD)和紫外光可見光光譜儀(UV-Visible)去証實不同Cu/Cd比例的type-II CdS-Cu2S-FePt形成。
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    非等方性半導體奈米粒子的製備、性質探討及其在生化與光電上之應用(I)光子晶體的化學製備與應用(II)
    (行政院國家科學委員會, 2002-07-31) 陳家俊
    Close packed 3-dimensional (3D) arrays of silica spheres assembled on an indium tin oxide (ITO) substrate surface have been prepared using sedimentation in the solution. Both galvanostatical and potentiostatical electrochemical depositions have been tested to infiltrate six different semiconductors, ZnSe, PbSe, CdSe, CdS, CdTe and GaAs, onto the 3D silica arrays. The detailed studies of deposition parameters such as current density, deposition time, concentrations of electrolytes, solvents and temperatures were performed to ensure the quality of resulting semiconductor films on the arrays. Following by the removal of the silica arrays, 3D macroporous structures made from those semiconductors were obtained and the structures exhibited 3D periodicity and uniformity. Clear diffraction peaks at ~1350 nm of CdSe and CdS macroporous films were observed.
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    半導體奈米材料的製備、鑑定及應用
    (新竹市 : 財團法人國家實驗研究院儀器科技研究中心, 2001-06-01) 楊正義; 陳俊和; 陳家俊