機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    黑色矽巨孔洞陣列結構應用於矽晶太陽能電池之研究
    (2009) 李幸憲
    隨著石化燃料日益短缺與環保意識的高漲,人類亟需一種乾淨、無污染的能量來源,以應用於再生能源。太陽光能取之不盡,用之不竭,在發電的過程中無噪音且零汙染,因此,太陽能電池被視為最具潛力的再生能源。目前市面上的商用太陽能電池,其抗反射結構僅侷限於隨機金字塔結構,並無法達到最佳的抗反射效能。有鑑於傳統的太陽能電池製作方法,對於抗反射效能的提升極為有限,故本研究提出以黃光微影定義圖案搭配光輔助電化學蝕刻(PAECE)之整合技術,在矽晶片表面製作高深寬比的黑色矽巨孔洞陣列結構,而此結構將使太陽電池具有較佳的抗反射效能。 多孔矽成長於525 um與380 um之矽基板,當PAECE蝕刻時間為0.5 hr、1 hr、1.5 hr及2 hr條件下,皆能得到黑色矽巨孔洞陣列結構,且其反射率皆能大幅度降低。在280 nm-800 nm波長範圍內,空白矽晶片的平均反射率為37.35 %。未經過PAECE蝕刻的倒金字塔陣列,平均反射效率為6.2 %;具倒金字塔陣列再經PAECE蝕刻後,於525 um之矽基板條件下,經過30分鐘的PAECE蝕刻後,平均反射效率可大幅降低為1.02 %,而經過2 hr的PAECE蝕刻後,平均反射率更可降低為0.81 %。若晶片減薄至380 um時,經過2 hr的PAECE蝕刻後,能進一步降低反射率至0.72 %。此時結構除了具有倒金字塔的形貌外,尚還具有深凹的巨孔洞、微溝渠、隨機多孔矽及黑色多孔矽薄膜層等五種特殊結構。本研究提出的新型複合結構將能具有良好的光捕捉效應,並且增大受光表面積與P-N接面面積,可實際應用於單晶矽太陽能電池,將使太陽能電池的效率能進一步提升。
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    具有抗反射表面的太陽能電池及其製造方法
    (2008-01-01) 楊啟榮; 李幸憲; 黃茂榕